减薄、划片工艺介绍课件.ppt

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1、《减薄与划片工艺介绍》减薄与划片流程图减薄工艺简介划片工艺简介芯片生产工艺流程图外延片下料清洗蒸镀黄光作业刻蚀合金减薄划片测试分选减薄、划片位于芯片生产工艺的中游。减薄、划片COW（chiponwafer）COT(chiponwafer)减薄、划片减薄、划片工艺中主要使用的机台研磨机抛光机减薄、划片工艺中主要使用的机台激光划片机裂片机减薄、划片工艺流程图减薄定义减薄:顾名思义是通过特定的工艺手法将物体由厚变薄的过程。430μm80μm我司减薄的过程是要将厚度约为430μm的COW片（chiponwafer）减薄至80μm±5μm左右上蜡定义：将芯片固定在陶瓷盘上便于减薄的过程。上蜡步骤：清洁陶

2、瓷盘上蜡贴片前，首先需要保证陶瓷盘的洁净程度，LED芯片减薄是属于微米量级的操作，任何细微的杂质都可能导致意想不到的异常状况。上蜡步骤：涂蜡将陶瓷盘加热至140℃，保证蜡条能迅速融化，涂蜡过程中需注意要使蜡均匀分布在陶瓷盘表面。上蜡步骤：贴片将需要减薄的芯片小心放置于陶瓷盘上，注意需要赶走芯片与蜡层之间的气泡。上蜡步骤：加压冷却通过加压的方式使，陶盘与芯片之间的蜡均匀分布，并凝固将芯片固定。研磨定义：使用钻石砂轮将芯片快速减薄到一定厚度，研磨后芯片厚度值为120±5μm，此步骤大约耗时15min。430μm15min120μm研磨步骤：修盘每次研磨前需使用油石将钻石砂轮修整一遍。此动作意义类似

3、于切菜的前磨刀。研磨步骤：归零归零实际是设置研磨起始点，归零又分为手动归零和自动归零。研磨步骤：研磨砂轮高速自转（1050rpm）并以一定的规律进给将芯片减薄到指定厚度。抛光定义：如果说研磨是快速减薄的过程，抛光则是一个缓慢减薄的过程，同时使芯片表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面。研磨步骤：镶盘将锡盘上均匀布满钻石液的过程。抛光步骤：抛光通过抛光液中的钻石颗粒，缓慢减薄芯片。卸片定义：将减薄后的芯片从陶瓷盘上卸下来的过程。卸片步骤：浸泡将抛光后的陶瓷盘放入去蜡锅中，加热浸泡5min左右，使芯片从陶瓷上剥离。卸片步骤：夹取用平口镊小心将减薄后的芯片夹只提篮中以便于清洗。由于芯片很薄夹取过程中需

4、非常小心。清洗定义：使用一定的化学试剂通过水浴浸泡，QDR冲洗的方式将芯片上蘸有的残蜡清洗干净。清洗步骤：去蜡液—ACE—IPA—QDR—IPA—烘干划片定义划片:是采用激光切割与劈刀裂片配合的方式，将连在一起的管芯分割开来划片贴片定义：使用蓝膜或白膜将减薄后芯片固定的过程。贴片步骤：准备工作用IPA加至无尘布上擦拭chuck表面和滚轮。把vacuum开至off。减薄后80μm芯片很脆弱，需要注重每一个细节。贴片步骤：取片把贴片机vacuum开至off处。小心将贴好的芯片取下。贴片步骤：贴片放铁环，需注意对准卡栓，用平口镊子夹取芯片，放片时芯片正面朝上，使用白膜粘住芯片。切割使用激光在芯片背面

5、，沿切割道划片。不同尺寸芯片，划片深度不一，深度区间为25至40μm之间。注意：并未将芯片划穿。裂片在芯片正面（激光划芯片背面），沿着激光划片的痕迹使用裂片机将管芯完全分离开。倒膜定义：将完全分离的管芯由正面贴膜翻转成背面贴膜。倒膜步骤：去杂质将切割与劈裂过程中产生的一些碎屑杂质粘掉。倒膜步骤：贴膜剪一方形蓝膜(大小为20cm*20cm，长宽误差不大于2cm)，将Wafer背面贴于蓝膜中间位置倒膜步骤：加压蓝膜在下，白膜在上放于倒膜机加热平台上，盖上硅胶片，硅胶片需覆盖整个片子区域，按下下降按钮，加压盘下降，等待4秒后加压盘自动上升，即加压一次完成。倒膜步骤：撕膜从加热平台上取下，左手按住贴有

6、Wafer的蓝膜，右手贴着膜平撕下表面的白膜，倒膜完成，管芯由正面贴膜变成了背面贴膜扩张定义：通过扩张蓝膜的方式，增大管芯之间距离，以便于目检作业扩张步骤：扩张前准备开机，打开电源，查看引伸盘控温器上的温度显示值是否为40℃±5℃,异常红灯会亮。扩张步骤：扩张前准备放扩张环，打开压盖，将扩张环的内环放入底盘中，注意光滑面朝上，将扩张环的外环放入压环盘中，注意光滑面朝下。扩张步骤：放蓝膜将贴有芯片的蓝膜平铺于底盘上，贴有芯片的一面朝上。扩张步骤：扣紧压盖放下压盘，将“锁紧—放松”按钮置于锁紧端，使得压盘和底盘锁紧；此机台具有延时机制，压盘和底盘锁紧之后的5秒之内引伸盘上升按钮将会失效，5秒之后恢

7、复正常,“电源指示灯”自动亮起。扩张步骤：扩张按下引伸盘上升钮，这时贴有芯片的蓝膜会被扩张扩张步骤：压环引伸盘伸到顶后，将环外套下压装置轻轻推到引伸盘上方直至不能推动为止，此时会有一个sensor感知，接着按下压环柱后面的绿色按钮，最后按下环外套下降钮即可扩张步骤：取环压环后将各部件复位后，松开压盖紧锁。取下环我们就得到了COT（chipontape）