芯片内部结构.ppt

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1、1电源管理芯片样品模组结构分析2017年4月一电源管理芯片样品结构二拟研发的模组结构三对比23正面底面激光打标AGRG22-191未搜到芯片datasheet整版镀锡后再切割一、电源管理样片结构1.外观4CT201205尺寸功率电感半导体IC2.内部结构53.底部焊盘结构只有1层，16um厚，成分为锡；与铜电极界面无其他金属工艺可能是电极显露后直接镀锡放大64.内部电极电路电极总厚200um，成分为铜，无层状分界界面；形貌上有2个弧形，高度分别是130um/70um；推测是整版铜片正反两次蚀刻形成；75.封装树脂封装树脂为硅基，PCB电极平面处未发现层状

2、界面，推测为一次封装成型；8模组尺寸3.0*2.5*0.9mm功率电感尺寸2.0*1.2*0.5mm半导体IC尺寸（加引脚）1.4*0.9*0.3mm6.内部器件及尺寸97.内部功率电感端留边0.12mm，侧留边0.14mm，电极宽0.2mm，电极厚0.02mm，产品高度＜0.5mm,有效圈数4.5（推测RDC在75-95mΩ）从引出端及连接点方式推测，疑似FDK的功率电感MIPSUZ2012GR47，0.47uH,RDC100mΩ±30%，Isat1.5A;3层夹层磁体为镍铜锌铁氧体108.电感端头及焊盘结构沾银层镍层锡层焊接锡锡-铜层PCB铜电极内部焊

3、盘结构推测：无专用焊盘，直接在铜电极上点锡焊接电感及半导体芯片；119.半导体IC半导体IC尺寸（加引脚）1.4*0.9*0.26mm半导体部分：180um电极接口部分：15um电极引出部分：65um树脂形貌相同，推测IC未做树脂封装，直接焊接在铜电极上树脂有层界面，上边无颗粒层应为IC引出电路保护层；铜柱引出电极应是与IC一体；半裸IC12推测芯片焊接方式与电感一致，即将裸芯片放置在锡膏上，过回流焊炉完成焊接；10.半导体IC电极引出铜柱焊接Sn-Cu界面层Sn焊接树脂有界面，推测上部无颗粒部分为IC引出电路保护层高纯度Cu12345671311.半导体

4、IC电极引出封装结构IC半导体主体电极引出触点——Al金属层微电路——W金属层隔层——Al金属层隔层——Al金属层微电路——W金属层引出电路保护——碳层141234PCB铜电极层PCB内部焊接点——各层磨片尺寸器件层底部焊盘15一、电源管理样片结构12.总结铜片正反两面蚀刻点锡贴器件回流焊塑封镀底部焊盘激光打标切割包装推测可能的工艺路线如下：THANKYOU!16