欢迎来到天天文库
浏览记录
ID：57307234
大小：61.50 KB
页数：8页
时间：2020-08-11
《PECVD沉积速率和清洗速率.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、实验总纲实验目的：建立PECVD基本参数实验方法：在SiO2表面上正光阻，曝光显影后，用BOE去光阻，最后用台阶仪测量深度，计算得出速率。实验步骤首先设定实验参数SiH4/ArN2O压强温度RF时间30sccm400sccm135Pa300℃30W24m按设定的参数沉积SiO2，测量致密性，然后拿去曝光显影。BOE蚀刻后，去掉光阻，可以用台阶仪测量高度了。测量和搜集数据。测点上中下左右平均值片1705270127532685168837067片2821470648020772068987583片3687572928680717068867380经计
2、算得出PECVD的沉积速率是5.10A/s蚀刻芯片使用清腔气体蚀刻上有SiO2的芯片，以判别该器台的蚀刻速率，更好的掌握清腔的时间。首先设定实验参数CF4O2压强温度RF时间100sccm100sccm200Pa300℃250W6m把之前的芯片放进去，然后启动清腔程序，最后测量高度。用原来的高度减去蚀刻后的高度，就能得出蚀刻的高度。测点上中下左右平均值片1616964206289639664166338片2673765146721671363796612片3664664086085626663616357经计算得清腔气体蚀刻SiO2速率是2.52A
3、。实验完毕2010.08.02
此文档下载收益归作者所有
