电路分析基础讲解课件.ppt

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1、第二章运算放大器2018年3月5日1引言集成运放的基本应用电路主要有信号的运算、处理和产生电路等。模拟信号运算电路包括加法、减法、微分、积分、对数、反对数运算电路以及乘法和除法运算电路等。集成运算放大器两个输入端之间的电压通常接近于零，vI=vP-vN0，但不是短路，故称为虚短。集成运放两输入端几乎不取用电流，即iI=0，但不是断开，故称虚断。2§2-1基本运算电路基本数学运算有：加、减、积分和微分等四种运算，由集成运放外加反馈网络所构成的运算电路来实现。在分析这些电路时，需要注意输入方式，判别反馈类型，并利用虚短、虚断的概念，得出近似的结果。比例运算电

2、路是最基本的运算电路，有同相输入和反相输入两种，分别属于电压串联负反馈和电压并联负反馈电路，其比例系数即为反馈放大电路的增益。3同相放大器若运放器开环增益为AVO，则：AVO通常比较大，AVO>5000，可以近似认为同相放大器闭环增益AVF为4反相放大器若运算放大器开环增益为AVO，且AVO很大，则5电压跟随器若运放开环增益为AVO，且AVO很大，则与同相放大器相比6加法电路在P端接地时，vN=0，N点为虚地。属于多端输入的电压并联负反馈电路。利用vi=0，iI=0和vN=0的概念，对反相输入节点可写出下面的方程式：这就是加法运算的表达式，式中负号是因反相

3、输入所引起的。若R1=R2=Rf7减法电路利用反相信号求和，实现减法运算。第一级为反相比例放大电路，若Rf1=R1，则vO1=-vS1。第二级为反相加法电路，则可导出由于出现虚地，放大电路没有共模信号，故允许vS1、vS2的共模电压范围较大，且输入阻抗较低。8减法电路利用差分式电路以实现减法运算。电路的反相输入和同相输入相结合。在理想运放的情况下，有vP=vN，伴随vI=0，也有iI=0由于存在共模电压，需选用共模抑制比较高的集成运放来保证运算精度。取9积分电路利用虚地的概念：vI=0，iI=0，有i1=i2=i，电容C以电流i=vS/R进行充电。设电容器

4、C初始电压为零，则当输入信号vS为阶跃电压时，在它的作用下，电容将以近似恒流方式进行充电，输出电压vO与时间t成近似线性关系。10微分电路将积分电路中的电阻和电容元件对换位置，并选取比较小的时间常数RC，即为微分电路。由于存在虚地，vI=0，iI=0，因此有i1=i2=i。设当t=0时，电容器C的初始电压vC=0，当信号电压vS接入后，即输出电压正比于电压对时间的微商。11微分电路当输入电压vS阶跃信号时，考虑到信号源总存在内阻，在t=0时，输出电压vO为一个有限值。随着电容器C的充电，输出电压vO将逐渐地衰减，最后趋近于零。-12§2-2对数和反对数运算

5、电路对数、反对数运算电路与加、减、比例等运算电路的组合，能实现乘、除和不同阶次的幂(非线性)等函数的运算，因此对数、反对数运算电路得到广泛的应用。对数运算电路和反对数运算电路利用半导体PN结的指数型V-I特性实现。13对数运算电路如使NPN型BJT的VCB＞0(但接近于零)，VBE＞0，则在一个相当宽广的范围内，集电极电流IC与基-射极电压VBE之间具有较为精确的对数关系。它与PN结的理想V-I特性方程相同：输出和输入电压成对数关系，输出幅值不能超过0.7V。14反对数运算电路如将对数放大电路中的R与BJT的位置互换，便得到反对数的电路。考虑到vBEvS

6、，同样利用BJT的iC-vBE关系，可得15模拟乘法器在对数和反对数运算的基础上，可以把乘法和除法的运算化简为对数的加法和减法运算，再进行反对数运算就可以实现乘、除运算的目的。16§2-3运算放大器的误差分析在前面讨论的基本运算电路中，认为运放是理想的，实际上的集成运放并非如此。一般讲,AVO、ri趋向无限大、ro接近于零等所产生的运算误差在工程上可以忽略。由于KCMR为有限值，VIO、IIO、IIB、VIO/T和IIO/T等不为零，必将在运算电路的输出端产生误差，与有用信号混合在一起，直接影响运算电路的运算精度。17共模抑制比KCMR为有限值的情

7、况集成运放的共模抑制比KCMR为有限值时，对运算电路将引起误差。以同相运算放大电路为例。AVD和KCMR越大，AVF越接近理想情况下的值。18输入失调电压、输入失调电流不为零时的情况输入失调电压VIO、输入失调电流IIO不为零时，运算电路的输出端将产生误差电压。设实际运放的等效电路如图的大三角符号。假设运放的开环电压增益AVO和输入电阻ri均趋近于无限大，外电阻R2=R1

8、

9、Rf.利用戴维南定理可得两输入端的等效电压和等效电阻，如图b所示。19输入失调电压、输入失调电流不为零时的情况同相输入反相输入因AVO，有VPVN，可求的由VIO、IIO和IIB

10、引起的输出误差为当(1+Rf/R1)和R2越大，VIO和IIO引起