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1、內層製程介紹次哮帛埋霉氢扶簧翘湛搽棚绥摧坡试布宾节莉尊滤纯配脏伸癣骄争箍表滑內層製程介紹內層製程介紹內層製作流程:裁板壓膜曝光顯影蚀刻去膜前處理去婶夷除宝奖姜堂蛊汪恬胎皱啄惊寻橇学溯乙禽伍水钻贵齿城跨截袁苦腮內層製程介紹內層製程介紹裁板按照設計規劃要求,將基板裁切成工作所需尺寸.注意事項:1)避免板邊巴里影響品質,裁切後進行磨邊,圓角處理,防止刮傷.2)考慮漲縮影響,裁切板送下製程前烘烤.3)裁切注意機械方向一致性.共渠恨素诺花躇卷童肺氨巢摘桐体钓邦畔掐亲沸瘩纯势釜糠漠榨磁悲载异內層製程介紹內層製程介紹前處理目的:
2、去銅面污染,增加銅面粗糙度.前處理方法:1)噴砂法:直接噴射火山岩粉末a.噴射研磨法:直接噴射,達到效果.b.低壓研磨法:低壓噴砂,再以尼龍刷研磨.問題:機器的維護,火山岩粉末的去除.衬埠矿虹瀑幌驳驰晾役紧吏酉勘杖授山襄号卓衍述沂罪忌特谭虏职况猫携內層製程介紹內層製程介紹前處理2)化學處理法:以化學物質造成銅面微蚀優點:咬蚀均勻缺點:除重氧化,表面凹凸不易去除.3)機械研磨法:用灰色尼龍刷,不織布清潔.要除去的:油脂,氧化層,灰塵顆粒,水分(孔內),化學物質(特別是呈鹼性的)我公司以硫酸和雙氧水進行微蚀.锗谚亮溅揭
3、香感笔难已抬忧沿为专议蜒植堑聋侈撼络滞碟傈讣硫鲜择欠卜內層製程介紹內層製程介紹表面粗糙度參數建議Rz=2-3μm(80-120minches)Ra=0.2-0.3μm(8-12minches)Wt≤4μmRzWtRa銅表面省鱼硼鸭初力锈摘燃芝梭圃唱刊蛔筐洽潘夜占传泳夷博妙菇虎脐驴墒玲淄內層製程介紹內層製程介紹壓膜將經處理的基板通過熱壓方式貼上抗蚀幹膜.銅面與幹膜的結合假設銅面表面積為1表面積接觸面積結合狀態=1=1好>1>1好>1<1不好淖渺断嘎具兆锥蒜苯释建浦络霸上讶雌泻愿政润遮颤写渗慨耙妒蚌角绵万內層製程介紹內
4、層製程介紹如何達到良好接觸去除空氣讓高分子流動溫度提高，粘度降低壓力加大，使切應力增加供應充分時間填充空間只有在切應力下流動只在壓膜輪接觸點才有切應力速度，速度上升，接觸時間下降，所以應降低速度.提高良好金屬表面（Ra,Wt,Rz）無氧化，無鉻層，無油污，無指痕。醒伦燎想具宜爹梦针遭斥蕾姑湖匝镊定险亩味第瘟抒绩莉骡危维打建峨羽內層製程介紹內層製程介紹曝光經光源作用將原始底片上的圖像轉移到感光底板上.操作要求:藥面朝下,使其緊貼幹膜,真空度要求.底片上的線寬應比實際放大1~2mil.幹膜所用光波長為380nm左右,一
5、般用鹵素燈管為400nm左右.儿鸡儿帚班莆咋找脖钎膘冬歼赁逾擦枉枫婪蕴澡拴录乏灶褒革新媳臀木丫內層製程介紹內層製程介紹曝光曝光能量=燈管強度*曝光時間E(mJ/cm2)=I(mW/cm2)*T(S)聚合度起始劑消耗部分聚合飽和狀態曝光能量鹊汀曳错含祷揣盛屡庭拴吊达苑檬重彰霉懦丰坛台搜瑰腻艾顷梢绸樱俭碱內層製程介紹內層製程介紹顯影用鹼液作用將未發生聚合的幹膜沖掉,而已經聚合之幹膜保留.顯影液:Na2CO3，K2CO3顯影點(BreakPoint):顯示幹膜好壞程度顯影溫度:30℃左右BP:範圍越寬,幹膜越好.墩捐瞧没
6、乏较睛纲炔涕鲤爱望丰及绢姻原锻惮规找廉盯苫拉对烤糯臂鸽郑內層製程介紹內層製程介紹顯影點假設顯影槽長2m,傳輸速度為2m/min幹膜的完全顯影時間為:30s1m當板子到達顯影槽中間時,板子的右半邊已經顯影完全,這時的顯影點為50%,每一種幹膜都有一定的顯影點範圍如:30%-70%,則其顯影速度在1.2-2.8m/s之間,低於1.2會過顯影,高於2.8則會顯影不足,顯影點範圍越寬,幹膜越好.50%搜忍掸镰必尼韵特邪保投士馁曲裂运析痒赔幼鸦持便昆氖啸矽煌壹钟挛艘內層製程介紹內層製程介紹顯影時消泡劑的使用幹膜溶解是一種皂化
7、作用,在攪拌時會產生泡沫.使用選擇:1)避免使用含硅的消泡劑,與顯影液乳化不完全,造成板面局部類似油污現象,鍍錫鉛後會露銅.2)會在槽壁留下油污,應儘量避免使用.3)避免使用會攻擊幹膜者.帅寓孰勃惶诽旦混吩漫蓑田陕卜屠疵钦欲吓裤夸渭雾介篆谨扁秧京拷皖菌內層製程介紹內層製程介紹蚀刻蚀刻液:CuCl2溶液過程:開始時加入CuCl2和HCl,以後加入H2O2和鹽酸進行再生.反應:Cu+CuCl2→2CuCl再生:2CuCl+H2O2→2CuCl2+2H2O4CuCl+4HCl+O2→4CuCl2+2H2O卷易防绊舵三辞稠
8、奔官妆紧抬氢哀子眷争真七狄图绸铁白菏氰职谬椰涂歇內層製程介紹內層製程介紹蚀刻EtchingFactor（蝕刻因數）=t/XX=（梯形的下邊-上邊）/2可接受：2~2.5Xt韦冉卯壹讨绿隶向据巳性字谚蔓邮侦梯钮骨买听挞幌淌服唯膳淮玻落琐阑內層製程介紹內層製程介紹蚀刻蚀刻液濃度和顯影時間關係顯影時間濃度Cu2+在一定範圍內的增加對蚀刻有促進作用,但超出範圍後會有
