实验三 存储器实验(11-09)课件.ppt

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1、实验三存储器实验一、实验目的1、掌握静态随机存储器RAM工作特性。2、掌握静态随机存储器RAM的数据读写方法。二、实验内容运用静态随机存储器RAM进行单步读、写和连续写数据。三、实验仪器1.ZY15Comp12BB计算机组成原理教学实验箱一台2.接插头若干对四、预备知识1.SRAM的工作原理和读写时序图4.3MOS静态存储器结构图图4.41K静态存储器框图图4.5存储器芯片读数时间图4.6描述写周期的开关参数五、实验原理实验所用的半导体静态存储器电路原理如图1-6所示，实验中的静态存储器由一片HY6116（2KX8）构成，其数据线接至数据总线，地址由地址锁存器（7

2、4LS273）给出。地址指示灯LI01—LI08与地址总线相连，显示地址内容。输入单元的数据开关经三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。实验原理图CLR=1->0->1LDAR=1T3=PULSE分时使用（复用）WE=W/R=0CS=CE=0地址线只用其中8位，其余接地六、接线七、操作步骤预备：（1）将控制台单元的开关INT_KEY拨到“NORM”状态，SP03拨到“STEP”状态，SP04拨到“RUN”状态，PROGKEY拨到“RUN”状态.（2）SQ09(CE)=1，SQ08(WE)=1，SQ05(PC_G)=1，SQ04(SW_G)=1，

3、SQ03(LDAR)=0，SQ01(CLR)=1→0→1，1、输入数据到6116输入存储器地址。第一循环00H,第二循环01H,….按START微动开关拨WE开关，1->0->1输入存储器地址。第一循环11H,第二循环22H,….2、读出写入的5个单元数据，同写入的进行比较，检查是否正确。检查第1操作数输入存储器地址。第一循环00H,第二循环01H,….记录读出的存储器各单元数据。第一循环00H单元,第二循环01H单元,….。同写入的做比较