实验三内存储器部件实验

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1、实验三内存储器部件实验一、实验目的1、学习和掌握ROM和RAM芯片的功能、读写原理和使用方法；2、掌握存储器的字、位扩展技术和方法；3、通过学习TEC-XP+计算机的存储器系统，深入理解计算机主存储器的功能和组成。二、实验说明TEC—XP+教学计算机存储器系统由ROM和RAM两个存储区组成。ROM存储区由2个EEPROM芯片58C65（8192x8位）组成，容量为8192x16位。RAM存储区由2个RAM芯片6116（2048x8位）组成，容量为2048x16位。TEC—XP+教学计算机巾还预留了2个存储器芯片插座，可以插上相应存储器芯片进行存储器容量扩展的教学实验。CPU▲Z2000H〜

2、L:Yc、6000H〜y〜8000H〜-B<-^COOOH〜Aa12Ai:……CSa,2Aii……AyAioaJ1csAioA°*c§+5V74LS138nnnnH-MEMOA15Al4Al3Ai2AnAioA。0EROMROMRAMRAMWRD7

3、……DoD；……DoDj…D。D；…Do啸WR0ETEC-XP+教学计算机存储器系统组成结构阉587D,:DD:Dgw三、实验内容1、完成存储器容量扩展实验，为扩展存储器选择一个地址，注意读写和/OE等控制信号的正确状态:2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM（58系列）存储特性的区别以及在读写上的差异

4、；3、用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。四、实验步骤重要提示：1）确保教学机处于断电状态；2）检查FPGA板下方的标有“RAMH/CE”、“RAML/CE”、“ROMH/CE”和“ROML/CE”的叫组跳线，确保均为左边两个针短接；3）检查RAM（6116）上方标有“/WE”的跳线插针，确保左边两个针短接。4）将运行控制开关置为“001100”，打开教学计算机的电源；5）进行联机操作，然后先一下按RESET键，再按一下START键。1、RAM实验RAM（6116）支持随机即时读写操作，可直接川A命令向存储器输入程序或川、E命令改变存储单

5、元的内容。RAM中的内容在断电后会消失，重新启动后会发现存储单元的值发生了改变。1）用E命令改变N存单元的值，并用D命令观察结果。①在命令行提示符状态下输入：E2020Z屏幕显示：2020内存单元原值按如下形式键入：原值'2222（空格）原值'3333（空格）原值'4444（空格）原值'5555②在命令行提示符状态下输入：D2020/观察屏幕显示的从2020内存单元开始的值。③断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020-2023的值。2）用A命令输入一段程序，执行并观察结果。①在命令行提示符状态下输入：A2000/键入如下汇编程序：2000：MVRDR0,AAAA2002：MV

6、RDRl,55552004：2005：2006/ANDRETRO,R1②在命令行提示符状态下输入：U2000/观察屏幕显示的内容。③在命令行提示符状态下输入：T2000Z观察寄存器R0、R1的值。TZ观察寄存器R0、R1的值。TZ观察寄存器R0、R1的值。④在命令行提示符状态下输入：G2000/⑤运行输入程序。在命令行提示符状态下输入：RZ观察寄存器R0、R1的值。⑥断电后重新启动教学实验机，用U命令观察內存单元2000开始的IA）容。2、扩展EEPROM实验1）关闭教学计算机的电源；2）将2片扩展的EPROM芯片一HN58C65分别插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的插座屮。

7、警告:请注意芯片的插入方向，芯片与插座的半圆形缺口方向必须相同，否则可能导致芯片烧毁，并可能波及到与该芯片相连接的其它芯片；3）将扩展芯片插座下方标有“PGM”、“/OE”和“/WE”三组跳线插座的左边两个插针短接（即“PGM”与“/MWR”连接，“/0E”与“/MRD”连接，“/WE”与“MACH”连接）；4）将扩展芯片插座上方标有“EXTROMH/CS”和“EXTROML/CS”两个圆孔型插座用锁紧线连接，然后用另一条锁紧线连接到“MEMDC74LS138”译码器上方标有“4000〜5FFF”地址单元的小圆孔屮；5）打开教学计算机的电源幵关，依次按RESET键和START键；6）NH

8、58C65是电可擦除的EEPROM,在本实验中可作为扩展的ROM:①用D命令观察地址从4000开始的内存单元的值；②断电后重新启动教学实验机，用D命令观察地址从4000开始的内存单元的值。7）HN58C65的读操作和普通的RAM相同，但其写操作的完成需要较长的时间，大约为1毫秒。因此，需要编写一延迟子程序，在对EEPROM进行写操作时，调用该子程序，以完成正确的读写。①用E命令向EEPROM写入数据E5000/屏幕显示：