实验四-存储器部件实验报告.doc

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1、实验四存储器部件实验班级：通信111班学号：201110324119姓名：邵怀慷成绩：一、实验目的1、熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处；学习用编程器设备向EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。2、理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案。3、了解静态存储器系统使用的各种控制信号之间正常的时序关系。4、了解如何通过读、写存储器的指令实现对58C65ROM芯片的读、写操作。5、加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。二、实验内容1、要完成存储器容量扩展的教学实验，需为扩展存储器选择一个地址，并注意读写和OE等控制信

2、号的正确状态。2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM（28系列芯片）、EPROM（27系列芯片）在读写上的异同。3、用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。4、用监控程序的A命令编写一段程序，对扩展存储器EEPROM（28系列芯片）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行。三、实验步骤1、检查扩展芯片插座的下方的插针要按下列要求短接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右边两个短接。2、RAM（6116）支

3、持即时读写，可直接用A、E命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。(1)用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。1)在命令行提示符状态下输入：E2020↙屏幕将显示：2020内存单元原值:按如下形式键入：2020原值：2222（空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555↙（1）结果2)在命令行提示符状态下输入：D2020↙屏幕将显示从2020内存单元开始的值，其中2020H~2023H的值为：2222333344445555问题：断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020~2023的值。会发现什么问题，为什么？答：断电结果：

4、断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单位2020~2023的值。会发现原来置入到这几个内存单位的值已经改变，用户在使用RAM时，必须每次断电重启后豆芽平重新输入程序或修改内存单位的值。(2)用A命令输入一段程序，执行并观察结果。在命令行提示符状态下输入：A2000↙屏幕将显示：2000：按如下形式键入：2000：MVRDR0，AAAAMVRDR1，5555ANDR0，R1RET问题：采用单步和连续两种方式执行这段程序，察看结果，断电后发生什么情况？答：输出结果分析：从采用但不和连续两种方式执行这段程序，察看结果，断电后发生什么情况R1的数据改变了。3、将扩展的R

5、OM芯片（27或28系列或28的替代产品58C65芯片）插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的自锁紧插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不对，会导致芯片烧毁。然后锁紧插座。4、将扩展的ROM芯片（27或28系列或28的替代产品58C65芯片）插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不对，会导致芯片烧毁。然后锁紧插座。5、将扩展芯片下方的插针按下列方式短接：将标有“/MWR”“PGM”和“RD”的三个插针左面两个短接，将标有“/MWR”“/O

6、E”“GND”的三个插针左边两个短接。6、将扩展芯片上方标有EXTROMH和EXTROML的“/CS”信号用自锁紧线短接，然后短接到MEMDC138芯片的上方的标有“4000－5fff”地址单元。注意：标有/CS的圆孔针与标有MEM/CS的一排圆孔针中的任意一个都可以用导线相连；连接的地址范围是多少，用户可用的地址空间就是多少。下面以2764A为例，进行扩展EPROM实验。7、EPROM是紫外线可擦除的电可改写的只读存储器芯片。在对EPROM进行重写前必须先擦除并判断芯片是否为空，再通过编程器进行编程。(1)将芯片0000~001F的内存单元的值置成010203040

7、5060708090A0B0C0D0E0F101112131415161718191A1B1C1D1E1F(2)将编程好的芯片插在扩展芯片的高位，低位不插，按上面的提示插好插针。问题：(1)用D命令查看内存单元0000~001F的值，结果是什么？(2)用E命令向芯片的内存单元置入数值，再用D命令察看，原来的值是否发生改变？(3)用A命令向芯片所在的地址键入程序，用U命令反汇编，发现什么？为什么会出现这种情况？(4)将教学机断电后重启，用D命令看内存单元0000~001F的内容，数值是否发生变化？下面以AT28C64B（或其替代产品58C65芯片）为例