存储器部件实验报告.doc

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1、实验报告实验名称存储器部件教学实验实验日期2013年11月18日实验小组人员谢林红符斯慧实验设备TEC-XP16教学实验系统、仿真终端软件PCEC实验目的1．深入理解计算机内存储器的功能、组成知识；2．深入地学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法（即字、位扩展技术），控制其运行的方式；3．思考并对比静态和动态存储器芯片在特性和使用场合等方面的同异之处。实验内容与步骤1．检查扩展芯片插座的下方的插针要按下列要求短接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右边两个短接。2．1〉用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。①在命令行

2、提示符状态下输入：E2020↙屏幕将显示：2020内存单元原值:按如下形式键入：2020原值：2222（空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555↙②在命令行提示符状态下输入：D2020↙屏幕将显示从2020内存单元开始的值，其中2020H~2023H的值为：2222333344445555③断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020~2023的值。会发现原来置入到这几个内存单元的值已经改变，用户在使用RAM时，必须每次断电重启后都要重新输入程序或修改内存单元的值。2〉用A命令输入一段程序，执行并观察结果。①在命令行提示符状态下输入：A2000↙屏幕将显示：

3、2000：按如下形式键入：2000：MVRDR0，AAAA2002：MVRDR1，55552004：ANDR0，R12005：RET2006：↙②在命令行提示符状态下输入：T2000↙R0的值变为AAAAH，其余寄存器的值不变。T↙R1的值变为5555H，其余寄存器的值不变。T↙R0的值变为0000H，其余寄存器的值不变。③在命令行提示符状态下输入：G2000运行输入的程序。④在命令行提示符状态下输入：R↙屏幕显示：R0=0000R1=5555R2=…3．将扩展芯片下方的插针按下列方式短接：将标有“/MWR”“PGMPGM”和“RD”的三个插针左面两个短接，将标有“/MWD”“/OE”“GN

4、D”的三个插针左边两个短接；4．将扩展芯片上方标有EXTROMH和EXTROML的“/CS”信号用自锁紧线短接，然后短接到MEMDC138芯片的上方的标有“4000－5fff”地址单元；5．EPROM是紫外线可擦除的电可改写的只读存储器芯片。在对EPROM进行重写前必须先擦除并判断芯片是否为空，再通过编程器进行编程；①D命令看内存单元0000~001F的值。可以看到内存单元的值为：01FF02FF03FF04FF......1FFF；②用E命令向芯片的内存单元置入数值，再用D命令察看，会发现原来的值没有改变；用A命令向芯片所在的地址键入程序，用U命令反汇编，会发现地址仍然保持原来的值。该实验

5、说明EPROM不能直接修改和编程，必须先擦除，再通过编程器编程；③将教学机断电后重启，用D命令看内存单元0000~001F的内容，会发现数值没变，EPROM的内容在断电后会保持。6．AT28C64B的读操作和一般的RAM一样，而其写操作，需要一定的时间，大约为1毫秒。因此，需要编写一延迟子程序，在对EEPROM进行写操作时，调用该子程序，以完成正确的读写。1）用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。①在命令行提示符状态下输入：E5000↙屏幕将显示：5000内存单元原值：按如下形式键入：5000原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）原值：5050↙②在命

6、令行提示符状态下输入：D5000↙屏幕将显示5000H~507FH内存单元的值，从5000开始的连续四个内存单元的值依次为2424363648485050；③断电后重新启动，用D命令察看内存单元5000~5003的值，会发现这几个单元的值没有发生改变，说明EEPROM的内容断电后可保存。2）从2000H单元开始输入主程序：（2000）MVRDR0，0000MVRDR2，0010；R2记录循环次数MVRDR3，5000；R3的内容为16位内存地址（2006）STRR[R3]，R0；将R0寄存器的内容放到R3给出的内存单元中CALA2200；调用程序地址为2200的延时子程序INCR0；R0加1

7、INCR3；R3加1DECR2；R2减1JRNZ2006；R2不为0跳转到2006HRET从2200H单元开始输入延时子程序：（2200）PUSHR3MVRDR3，FFFF（2203）DECR3JRNZ2203POPR3RET运行主程序，在命令提示符下输入：G2000↙。注意：运行G命令的时候，必须要将将标有“/MWD”“/OE”“GND”的三个插针右边两个短接。程序执行结束后，在命令提示符下输入：D5000