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时间:2018-09-27
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1、实验三COP2000存储器实验本实验为设计性实验。【实验目的】1了解存储器芯片内部结构和访问时序。2掌握存储器扩展技术。3熟悉动态存储器刷新方式。【实验要求】1存储器芯片。2静态和动态存储器扩充方法。3COP2000实验箱存储器EM。【实验步骤】1合理选择存储器芯片。2扩展4KBSRAM和2KROM,要求地址空间与EM不重叠。3实现存储器的读和写。【实验内容】一合理选择存储器芯片。二扩展4KBSRAM和2KROM,要求地址空间与EM不重叠。三实现存储器的读和写。写:连接线表连接信号孔接入孔作用有效电平1J1座J3座
2、将K23-K16接入DBUS[7:0]2RRDK11寄存器组读使能低电平有效3RWRK10寄存器组写使能低电平有效4SBK1寄存器选择B5SAK0寄存器选择A6RCKCLOCK寄存器工作脉冲上升沿打入将11H写入R0寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入,置数据11HK23K22K21K20K19K18K17K1600010001置控制信号为:K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1000按住CLOCK脉冲键,CLOCK由高变低,这时寄存器R0的黄色选择指示灯亮,表明选择R
3、0寄存器。放开CLOCK键,CLOCK由低变高,产生一个上升沿,数据11H被写入R0寄存器。将22H写入R1寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入,置数据22HK23K22K21K20K19K18K17K1600100010置控制信号为:K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1001按住CLOCK脉冲键,CLOCK由高变低,这时寄存器R1的黄色选择指示灯亮,表明选择R1寄存器。放开CLOCK键,CLOCK由低变高,产生一个上升沿,数据22H被写入R1寄存器。将33H写入R2
4、寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入,置数据33HK23K22K21K20K19K18K17K1600110011置控制信号为:K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1010按住CLOCK脉冲键,CLOCK由高变低,这时寄存器R2的黄色选择指示灯亮,表明选择R2寄存器。放开CLOCK键,CLOCK由低变高,产生一个上升沿,数据33H被写入R2寄存器。将44H写入R3寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入,置数据44HK23K22K21K20K19K
5、18K17K1601000100置控制信号为:K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1011按住CLOCK脉冲键,CLOCK由高变低,这时寄存器R3的黄色选择指示灯亮,表明选择R3寄存器。放开CLOCK键,CLOCK由低变高,产生一个上升沿,数据44H被写入R3寄存器。读:读R0寄存器置控制信号为:K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0100这时寄存器R0的红色输出指示灯亮,R0寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS:1100010001.将K11(RRD)置为1,关闭
6、R0寄存器输出.读R1寄存器置控制信号为:K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0101这时寄存器R1的红色输出指示灯亮,R1寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS:2200100010.将K11(RRD)置为1,关闭R1寄存器输出.读R2寄存器置控制信号为:K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0110这时寄存器R2的红色输出指示灯亮,R2寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS:3300110011.将K11(RRD)置为1,关闭R2寄存器输出.读R3寄存器置控
7、制信号为:K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0111这时寄存器R3的红色输出指示灯亮,R3寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS:4401000100.将K11(RRD)置为1,关闭R3寄存器输出.观察到:1.数据在K11(RRD)为0时输出,不是沿触发,与数据打入不同。【心得体会】
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