[信息与通信]GPP 制程简介课件.ppt

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1、GPP製程簡介Preparedby：AndyKangDate：Sep-14-2003WhatisGPPGPP(GlassPassivationPellet)？為使用玻璃作為鈍化保護層之小顆粒引申為使用玻璃作為鈍化保護層之元件GPPWhyGPPGPPOJ設備投資高低製程差異較複雜較簡單封裝之比較較簡單較複雜晶片製作成本較高較低電性比較IR較低IR較高信賴性比較較好尤其是高溫特性較差未來產品擴充性較高較低GPP結構介紹GPP之結構一般可分為兩種：1.)單溝(SM,SingleMoat)2.)雙溝(DM,DoubleMoat)SMP+NN+GlassDMP+NN+GlassGPPProce

2、ssFlowWaferCleanOxidation1stPhotoBOEEtchGridEtchPRStripOxideEtchSIPOSDep.2ndPhoto1stNiPlatingNiSintering2ndNiPlatingAuPlatingPGBurnoffGlassFiringLTO3rdPhotoPGCoatingRCAClean進黃光室PRStripContactEtchNonSIPOSWaferClean(晶片清洗)檢查HF浸泡HF浸泡純水QDR沖洗RCA清洗純水QDR沖洗旋乾機旋乾檢查生產流程卡確認料、量、卡是否一致利用HF蝕刻晶片表面氧化層利用高純水(>12MΩ)

3、快速沖洗晶片表面前站之殘餘物利用高純水(>12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物利用RCA清洗方法將晶片表面之雜物去除利用旋乾機將晶片表面之水分帶離純水QDR沖洗利用HF蝕刻晶片表面氧化層利用高純水(>12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物擴散後晶片晶片清洗NN+P+磷硼檢查生產流程卡確認是否料、量、卡是否一致Oxidation(熱氧化)排晶片進熱氧化爐熱氧化出熱氧化爐收料將晶片一片一片排入石英舟之溝槽內，並規定好方向將排好之熱氧化石英舟送入熱氧化爐利用高溫將SiO2形成至晶片表面將熱氧化完成之晶片拉出熱氧化爐將材料收起來並準備進黃光室排晶片熱氧化完成後出爐狀況灰色表示晶片黑色表示石英

4、舟熱氧化生成之方法與其特性比較通入氣體矽晶片是否參與反應成長速率氧化層結構乾氧O2是慢密實濕氧H2+O2是H2O是APCVDSiH4+O2否LPCVDSiH4+O2/TEOS否PECVDSiH4+N2O否快鬆散熱氧化於晶片表面形成一層SiO2，以利於後續黃光作業之光阻塗佈晶片NN+P+氧化層1stPhoto(一次黃光)HMDS烤箱烘烤光阻塗佈軟烤對位曝光顯影將做完熱氧化之晶片送進HMDS烤箱烘烤，確保無水分殘留，並於晶片表面覆蓋一層促進接著劑將光阻以旋轉塗佈機均勻的塗佈在晶片表面將光阻內之有機溶液以約90℃烘烤，以增加後續對位曝光之解析度將軟烤完成之晶片以對位曝光機進行圖形轉移將曝光完

5、成之晶片以顯影液將所須之圖形顯現出來硬烤將顯影完成之晶片送進130℃之烤箱烘烤，使光阻固化WhatisPR(光阻)光阻本身主要成份為：1.)樹脂2.)感光劑3.)有機溶劑光阻可分為：1.)正光阻照射到紫外光後會產生解離現象，接著使用顯影液去除2.)負光阻照射到紫外光後會產生聚合現象，無法使用顯影液去除一次黃光晶片NN+P+氧化層光阻BOEEtch(BOE蝕刻)將晶片送至化學蝕刻站，並以BOE將裸露出來之氧化層去除BOE(BufferOxideEtchant)：是一種含有HF/NH4F/H2O之溶液優點：1.)HF可蝕刻氧化層，而NH4F可補充HF蝕刻氧化層所消耗掉之F-，故可使蝕刻

6、速率較為穩定缺點：1.)若NH4F所佔之比例過高時，再低溫下(約小於15℃)反而容易形成結晶，進而造成蝕刻速率不穩定解決方法：1.)再不影響蝕刻速率下，適度的降低NH4F含量BOE蝕刻晶片NN+P+氧化層光阻GridEtch(格子蝕刻)將BOE蝕刻完成之晶片送至格子蝕刻站，並準備進行格子蝕刻利用HF/HNO3/CH3COOH之混合酸將裸露出來之矽進行蝕刻HF：蝕刻SiO2HNO3：將矽氧化成SiO2CH3COOH：緩衝劑使蝕刻過程不要太劇烈控制蝕刻液之溫度及穩定度可提升蝕刻之均勻性格子蝕刻晶片NN+P+氧化層光阻PRStrip(光阻去除)將格子蝕刻完成之晶片送至光阻去除站，並準備進行

7、光阻去除利用硫酸將光阻劑去除乾淨光阻去除晶片NN+P+氧化層SiO2Etch(氧化層蝕刻)BOE浸泡HF浸泡純水QDR沖洗混合酸浸泡純水QDR沖洗旋乾機旋乾利用BOE蝕刻晶片表面氧化層利用高純水(>12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物利用高純水(>12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物利用混合酸去除晶片表面之雜物利用旋乾機將晶片表面之水分帶離純水QDR沖洗利用HF蝕刻晶片表面氧化層利用高純水(>12MΩ)快速沖洗晶片表面前站之殘餘物氧化層蝕刻