主存储器 掌握 6 2习题学时课件.ppt

《主存储器 掌握 6 2习题学时课件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、本章重点存储器层次结构是组成原理这门课的重点，主存芯片的字扩展和位扩展方案设计存储器的分类包括各种不同的分类方式，不同存储器的对比识记存储器的层次化结构理解Cache-主存-外存的层次结构设计的原理和目的理解半导体随机存取存储器1.      SRAM存储器的工作原理2.      DRAM存储器的工作原理注意DRAM刷新相关问题，以及SRAM和DRAM的对比掌握只读存储器知道有PROM、EPROM、EEPROM等不同种类的ROM了解主存与CPU的连接这是解决主存扩展问题的基础熟练掌握双口RAM和多模块存储器掌握1第4章主存储器4.1主存储器处于全机中心地位4.2主存储器

2、分类1.随机存储器randomaccessmemoryRAM2.只读存储器readonlymemoryROM3.可编程的只读存储器programmableROMPROM4.可擦除可编程只读存储器erasablePROMEPROM5.电可擦除可编程只读存储器electricallyEPROME2PROM21.主存容量以字或字节为单位表示的存储单元总数。1K=1024=210、1M=1024K=220、1G=1024M=2301字节---8位二进制数存储字---计算机可寻址的最小单位，一般是8的倍数。32位地址线最多可寻址4G。字长—一个存储字所包含的二进制位数。2.存储速度

3、（1）存取时间：启动一次存储器操作到完成操作所经历的时间.（2）存储周期：连续两次独立的存储操作所需的最小时间间隔。一般略大于存取时间。4.3主存储器的奇数指标34.4主存储器的基本操作1.读（取）操作存储器CPU。2.写（存）操作CPU存储器。一般情况下CPU的速度快于主存CPU读写Ready主存储器地址总线数据总线控制总线ARDR44.5读/写存储器1.静态存储器SRAM6管静态存储单元，MOS管工作在截止状态和饱和状态。T1T2记录信息，T3T4相当于电阻，T5T6是读写控制门。字选择：地址译码选择位线：数据输入输出。位线1位线2VDDVGGVSS字选择线T1T

4、2T3T4T5T65MOS静态存储器结构16*1bitDINWRDOUTCS位线1位线2字选择线VDDVGGVSST1T2T3T4T5T6列选择线存储单元存储单元写入电路读放X译码器A0A103Y译码器A2A303T7T8T7T8T7T8T7T8VDDVGGVSST1T2T3T4T5T66MOS静态存储器开关特性静态存储器的片选、读写允许、地址和写入数据在时间上有一定的要求。读周期：先给出地址AD和片选信号，配合读写控制信号，之后才能读出数据。写周期：先给出地址AD和片选信号，配合读写控制信号，之后才能写入数据。74.5读/写存储器2.动态存储器DRAM单管动态存储单元写

5、入：T导通，位线上的数据对CS充电（1带电荷，0不带电荷）。T截止：0或1被保存到CS上。读出：T导通，CS上的电荷流到数据线上。读出是破坏性的，电荷流走，就不存在了。必须读后马上重写。由于靠电容上的电荷保存信息，电容有漏电现象，时间长信息会丢失。解决方法：不断(2MS以内)重写刷新。数位线据线VDD字线TCDCS8MOS动态存储器结构16K*1bit为了减少引脚，16K=128128，分两次把地址送到存储器，靠控制信号行地址选择RAS和列地址选择CAS区分读写电路Din/outA0A6RASCASWECS位线字选择线列地址锁存译码行地址锁存译码128128存储阵列逻

6、辑电路Din/DoutWE93.SRAM与DRAM的比较SRAM：集成度低，功耗大，封装引脚多，尺寸大，速度快，只要不断电信息不会丢失。价格较贵DRAM：集成度高，功耗小，封装引脚少，尺寸小，速度低，靠电容保存信息，信息易丢失，必须在2MS内全部刷新一次。价格便宜。4.刷新方法(1)集中式刷新：一个刷新周期2ms内，集中刷新一遍。(2)分布式刷新：在2MS内分散刷新一遍。每行刷新的时间是行数/2ms。例如上面128128的存储器，2ms/128=15.6ms的时间间隔刷新一行。(3)透明刷新：CPU译码阶段刷新，不占用CPU时间。104.6半导体存储器的主要应用存储器应

7、用随机存储器SRAM高速的Cache，直接写入随机存储器DRAM计算机主存，直接写入只读存储器ROM制造商生产好。固定程序，微程序控制存储器可编程的只读存储器PROM单元先设计成熔丝。用户自编程序，用于工业控制机或电器中可擦除可编程只读存储器EPROM靠紫外线照射擦。产品试制阶段试编程序电可擦除可编程只读存储器E2PROMIC卡上存储信息，一般10万次，与SRAM相似，但写入速度慢快擦除读写存储器FlashMemory1988年商品化，只能先擦再写入。固态盘，IC卡114.7DRAM的研制与发展DRAM应用同步(Synchro