电解铜箔与压延铜箔技术与差异.pdf

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1、印制电路信息2015No．2电解铜箔与压延铜箔技术与差异刘建广(山东金宝电子股份有限公司，山东招远265400)摘要文章阐述了电解铜箔与压延铜箔的分类与特点，详细论述了两种铜箔的Z-~流程和生产技术，给出了它们的具体要求和特性指标，指出了两种铜箔的技术与差异，描述了两种铜箔未来的发展趋势。关键词电解铜箔；压延铜箔；技术差异中图分类号：TN41文献标识码：A文章编号：1009—0096(2015)02—0013-08ElectrolyticCopperFoilandRolledCopperFoiltechnol

2、ogiesanddifferencesLIUJian-guangAbstractThispaperexpoundstheclassificationandcharacteristicsofelectrolyticcopperfoilandrolledcopperfoil，makesdetaileddiscussiononthetechnologicalprocess，producdontechnologyspecificrequirementsandfeatureindexofthetwokindsofcop

3、perfoil．Italsopointsoutthetechnologyanddiference，describesthefuturedevelopmenttrendoftwokindsofcopperfoil．KeywordsElectrolyticCopperFoil；RolledCopperFoil；TechnologyDiference1概况特点和铜带的界限变得模糊起来，电解与压延铜箔的使用界限变得模糊起来。例如，超厚铜箔(指标称厚1．1概况介绍度在3OZ～14OZ(105Bm～500um)的铜箔)虽

4、然压延法生产难度较大，但已经有电解铜箔企业可以电子铜箔(ElectronicalCopperFoil)不仅是制造生产出超厚铜箔了。另一方面，用压延法生产9mCCL及PCB的重要基础材料，而且在其它领域也具有以下超薄铜箔早已不是难题，日本是处于世界领先广泛应用，主要有锂离子电池负极载体、等离子平板，地位，国内引进日本设备也已经能够轧出7p．m的压显示器用屏蔽材料、热敏电阻、太阳能背板、散热材延铜箔。料等等。’业界一般将采用压延、电解、溅射等方法形成1．2分类特点的0．2mm以下厚的铜带(片)称为铜箔。在国内，电

5、解铜箔(ElectrodePositedCopper)与压延铜一般铜箔和铜带的区分是以0．05mm界限来划分的，箔(RolledCopperFoil)是按铜箔生产方法的不同分美、日等国多以0．1nⅡn来划分，在中国海关进出口是成两大类。以0．15mm来划分的，主要是考虑了目前国内铜箔生压延铜箔(简称RA铜箔)是将铜板经过多次产技术相对国外落后的现状。重复辊轧而制成原箔，然后根据要求进行除油、粗笔者认为：近几年铜箔技术水平的发展，铜箔化、耐热层处理及防氧化处理等表面处理，或者是．13．印制电路信息2015No．

6、2不经处理光箔出售。电解铜箔(ED铜箔)是将铜先述：CU-W7)经溶解制成溶液。在专用的电解设备中将硫酸铜电序号8：可低温退火压延锻造箔(LTA—w型)解液在直流电的作用下，电沉积而制成原箔，然后(规格描述：CU—w8)根据要求对原箔进行粗化处理、耐热层处理及防氧序号lO：可低温退火电解箔(u’A—E型)(规格化处理等一系列的表面处理。描述：CU—El0)对于原箔制造，压延铜箔属于物理锻造法，处序号1l：可退火电解箔(A—E型)(规格描述：理前两面状态几乎是一致的。电解铜箔属于电化学CU-El1)沉积法，原箔

7、两面表面结晶形态不同，紧贴阴极辊1．3市场格局的一面比较光滑，称为光面；另一面呈现峰谷形状的组织结构，比较粗糙，称为毛面。当今铜箔的生产技术水平，无论是电解还是压为了满足CCL与PCB或FPC在电性能、物理性能延，日本和美国是领先的，特别是日本。笔者多次及制造特性方面的要求，电子用电解铜箔和压延铜访问日本，亲历和见证了日本在铜箔设备、工艺技箔都需要进行表面处理，而且其表面处理过程十分术、制造装备、研究环境等方面的实力，在世界堪接近。称首屈一指。中国大陆与台湾地区铜箔企业产量很当前业内比较通用的电子铜箔标准主要

8、为大，但附加值显然低于日本企业。IPC4562A一2008，标准中对箔的型号标识方法做了规参考台湾工研院IEK、Prismark等的相关统计定：电解铜箔以后缀“E”来表示，分别为序号l、数据推算(图1)，2013年全球电解铜箔供应商产2、3、l0、l1。压延铜箔以后缀“w”来表示，分别销量，其中台湾南亚、台湾长春、建滔铜箔位居前为序号5、7、8。具体如下：三，市占率分别为l3．8％、l3．6％和I1