高雄市立中山高级中学九十三学年度第二学期第二次定期考物理科试卷.doc

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1、高雄市立中山高級中學九十三學年度第二學期第二次定期考物理科試卷「科目代號」：07三年班座號姓名：＊答案請以２Ｂ鉛筆劃記於「答案卡」上。一、是非題：（每題1分共20分）對的選Ａ，錯的選Ｂ1.半導體的主要材料是Si。2.半導體的電阻會隨溫度上升而增加。3.半導體的導電載子有自由電子與電洞。4.導體的電阻小是因電流載子多的關係。5.在純Si內摻雜五價施體元素可成P型半導體。6.二極體是將一塊P型Si與一塊N型Si相連結而成。7.二極體內的空乏層意表缺乏自由電子與電洞，會阻礙二邊的載子擴散。8.二極體導通需加順向偏壓，降低空乏層的電位障。9.二極

2、體的電阻是固定的。10.導通的二極體其電流方向是由PàN。11.二極體的巧能是單向導電性。12.共基極的BJT在EB間該接順向偏壓來導通，而在CB間應接逆向偏壓來收集。13.電晶體具有放大訊號的功能其意是指收集到的電流會比發射出來的還要多。14.FET是場效電晶體，是利用電埸來控制電流的大小而其電流載子僅限一種，故又稱單極性電晶體。15.電腦中記憶體的IC內其電晶體以MOSFET為主流。16.NMOS電晶體內傳送電流的載子是電洞。17.MOS導通時其源極電流等於汲極的電流與閘極的電流合。G18.　　　　　左圖是P-JFET的電路符號。19

3、.JFET的閘極逆向電壓愈大，則通道電阻愈大。20.MOSFET的閘極電壓要達底限電壓以上才能形成導電通道。二、單選題：（每題4分共80分）21.附圖(a)(b)(c)(d)電路中的二極體，受到順向偏壓的為a、ba、da、cc、d。22.附圖(a)是二極體電流－電壓特性曲線的近似圖則圖(b)中的電流大小為多少安培？0.450.620.810.93。※請注意背面尚有試題※21.目前的積體電路中，最主要的電子元件為下列何者？BJTJFETMOSFETLEDLCD。22.如附圖，以導通電壓為0.7V二極體作為交直流整流器，若輸入端的電壓為Vin

4、，輸出端的電壓為Vout，則Vin-Vout0.7V70V7´10-4V數據不足。23.若PNP電晶體之射極電流為3mA，基極電流為0.21mA，則：集極電流為3.21mAa=0.93b=95其內主要載子是電子。24.如圖所示，下列敘述何者為對？LDR是發光二極體圖中三極體是PNP的BJT燈泡處的電流是射極電流天色漸暗三極體才會導通燈泡才會亮起來。25.某電晶體的a值是0.98，則其b值為9849990.02。26.在8吋和12吋的晶圓上產製同樣的IC晶片，則後者每片晶圓上的晶片產量是前者的幾倍？。27.湯木生的實驗在測定：質子的電荷與質

5、量的比值電子的電荷與質量的比值電子的質量電子的電量質子的質量。28.首先精確決定電子電荷大小的是下列哪一個實驗？夫然克-赫茲實驗湯木生荷質比實驗密立坎油滴實驗拉賽福實驗密立坎光電效應實驗。29.在某X射線管中，電子經電位差V加速後撞擊鎢靶，若電子電量e，卜朗克常數h，光速c，則此X射線管管發出的X光，其最短波長為多少？hV／echc／eVVc／heVe／hc。30.下列哪一個現象能証明X光是電磁波？使螢光幕發光通過電場不偏向對石英晶體產生繞射圖案通過磁場不偏向。31.一電子的動量Pe，一光子的動量P，若兩者具有相同的能量E，則之值為多少？

6、（m是電子質量）。32.已知鉀的功函數為2.1e.v，現以波長為400nm的紫光照射鉀金屬的表面，則放出的光電子最大動能為多少？0.5e.v0.8e.v1.0e.v1.2e.v。33.質量為M之靜止原子，吸收一頻率為n的光子後，其動能為多少？hn。34.在康卜吞效應中，碰撞後的電子具有最大動量時，入射光子的散射角必為多少度？0°45°90°180°。35.在康卜吞效應的實驗中，若以波長l=h／mc的X光射到一靜止的電子，則散發後的康卜吞散射波的最大波長為多少？（卜克朗常數h，電子的靜止質量m，在真空的光速c）3h／2mc2h／mc5h／2

7、mc3h／mc。36.在陰極射線管中，電子的動能是電子經由陰極和陽極之間的電位差加速而得。設兩極之間的電位差為V，電子經加速後，沿垂直於磁場的方向進入一均勻的磁場中，測得磁場強度為B，電子迴轉半徑為r，則電子的荷質比是多少？2V／B2r22V／Br2V／2B2rV／2B2r2。37.在「電子荷質比之測定」實驗中，如果所加磁場增為2倍，則所見螢光屏上圓弧的曲率半徑變為原來之：6倍1/4倍4倍2倍1/2倍。38.在光電效應中，光子波長為l，電子截止電位為Vc，則其功函數為：hl+eVc。