电子技术基础与技能期末试卷.doc

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1、16电子期末试卷姓名考号判断题答题卡1234567891011121314151617181920选择题答题卡1234567891011121314151617181920一、判断题（40分）1、()将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。2、（）硅的导通电压为0.7V，锗的导通电压为0.3V。3、（）三极管的中ICEO的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性高。4、（）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。5、（）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。6

2、、（）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。7、（）结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。8、()利用二极管的正向压降也能起到稳压作用。9、()二极管从P区引出的极是负极。10、()普通二极管可以替换任何特殊二极管。11、（）晶体三极管的C、E可以交换使用。12、（）二极管代替换用时，硅材料关不能与锗材料管互换。13、()三极管按结构分为硅型和锗型三极管。14、（）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；15、（）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；16、（）电路中各电量

3、的交流成份是交流信号源提供的；17、（）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；18、（）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；19、（）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。20、()运放的共模抑制比二、选择（60分）1、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________A同相B反相C相差90度2、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（）。3.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的

4、电位最低。A发射极B基极C集电极4.温度升高，晶体管输入特性曲线_________A右移B左移C不变5.集成运放电路采用直接耦合方式是因为。A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容6.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。A．减小温漂B.增大放大倍数C.提高输入电阻7.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。A．共射放大电路B.共集放大电路C．共基放大电8、理想运算放大器的共模抑制比为()。A零B约120dBC无穷大9、测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、

5、-2.2V，则该管_______A处于饱和状态B放大状态C截止状态D已损坏10电路如图所示，其电压放大倍数等于()。A1B2C零11、电路如图所示，该电路为()。A加法运算电路B减法运算电路C比例运算电路12.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为__ANPN型锗管BPNP型锗管CPNP型硅管13.NPN型三极管三个极电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在A．饱和区B．截止区C．放大区D．击穿区14.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管

6、是（）AVC=0.3V，VE=0V，VB=0.7VBVC=-4V，VE=-7.4V，VB=-6.7VCVC=6V，VE=0V，VB=-3VDVC=2V，VE=2V，VB=2.7V15、反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________A越好B越差C无变化16、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（）状态。A、放大B、截止C、饱和D、损坏17.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的β为____A40B

7、50C6018、工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（）A．Ｕc>Ub>UeB。ＵcＵc>UeD。Ｕc>Ue>Ub19、三级管工作在放大区，要求（   ）A、发射结正偏，集电结正偏        B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏         D、发射结反偏，集电结反偏20.三极管参数为PCM=800mW,ICM=100mA,UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。A．UCE=15V，IC=150mAB．UCE=20V，IC=80mA

8、C．UCE=35V，IC=100mAD．UCE=10V，IC=50mA