2013光电子器件试题B.doc

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1、成都信息工程学院考试试卷2012——2013学年第2学期课程名称：光电子器件使用班级：电科10级试卷形式：开卷闭卷√．试题一二三四五六七八九十总分得分一、选择题（共20分，每小题2分）1.为了提高测辐射热计的电压响应率，下列方法中不正确的是（）A将辐射热计制冷B使灵敏面表面黑化C将辐射热计封装在一个真空的外壳里D采用较粗的信号导线2.下列探测器的光－电响应时间，由少数载流子的寿命决定：（）A线性光电导探测器B光电二极管C光电倍增管D热电偶和热电堆3.给光电探测器加合适的偏置电路，下列说法不正确的是（）A可

2、以扩大探测器光谱响应范围B可以提高探测器灵敏度C可以降低探测器噪声D可以提高探测器响应速度4.下列器件运用了内光电效应原理的是（）A、红外变像管B、光电倍增管C、光电池D、雪崩光电二极管5．现有GDB-423型光电倍增管的阴极灵敏度为25µA/lm，倍增系统的放大倍数为105，阳极的额定电流为20µA，则允许的最大光通量为（）A、0.8×10-5lmB、5×10-3lmV/WC、无法判断D、0.8lm6.对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法正确的是（）。ALD只能连续发光BLED的单

3、色性比LD要好CLD内部可没有谐振腔DLED辐射光的波长决定于材料的禁带宽7.对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）。A费米能级靠近导带底B空穴为多子C电子为少子D费米能级靠近靠近于价带顶8.依据光电器件伏安特性,下列哪些器件不能视为恒流源:（）。A光电二极管B光电三极管C光电倍增管D光电池9.硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。适当偏置是（）。A恒流B反向偏置C零伏偏置D自偏置10.有关热电探测器,下面的说法哪项是不正确的（）。A光谱响应范围从紫外到红外几乎

4、都有相同的响应B响应时间为毫秒级C器件吸收光子的能量,使其中的非传导电子变为传导电子D各种波长的辐射对于器件的响应都有贡献二、填空题（共20分，8、9题每空2分，其余每空1分）1.光电探测器的物理效应通常分为两大类：___________和____________。2.光与物质的三种相互作用过程包括、、。3．红外成像系统性能的综合量度是______________和_________________。4.依据噪声产生的物理原因,光电探测器的噪声可大致分为__________、_______________

5、和_________________三类。5.CCD的基本功能为________________和_______________；CCD按结构可分为__________和______________。6．红外线，它是一种人眼看不见的光线，但实际上它与其他任何光线一样，也是一种客观存在的物质。任何物质，只要它的温度高于____，就会有红外线向周围空间辐射。7．光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流_________趋势。8．光电二

6、极管的量子效率为η，则其灵敏度为____________。9．一半导体材料的禁带宽度为1eV,则产生光电效应的红限波长为_________。三、分析说明题（共28分，每小题7分）1、画出雪崩光电二极管的结构图，并分析说明如何实现电流放大作用。2、画出光电倍增管加了负高压情况下的电阻电容简明连接图，并说明电阻链的电阻值如何选取。3、微通道板输入端的电子流为2×10-16A，而输出端获得的电子流为3×10-11A，则该微通道板的电子增益是多少？画出微通道板基本结构图，并分析说明器件如何实现倍增。4、画出半导体

7、材料辐射热电偶器件的结构图，并分析说明其工作原理。四、计算题（共32分，第1题12分，其余每题10分）1、某光敏电阻与负载电阻RL=2kΩ串接于12V的直流电源上，无光照时负载电阻上的输出电压为u1=20mV，有光照时负载上的输出电压u2=2V，试求：光敏电阻的暗电阻和亮电阻值；若光敏电阻的光导灵敏度S=6×10-6s/lx，求光敏电阻所受的照度？2、某光电倍增管有10个倍增级，每个倍增级的二次电子发射系数δ=4，阴极灵敏度为RK=200µA/lm，阳极电流不得超过10mA，试求该倍增管能准确测量光通量的

8、上限。3、如果Si光电二极管灵敏度为10μA/μW，结电容为10pF，光照功率5μW时，拐点电压为10V，偏压为40V，且最大光照信号功率10μW，试求：(1)线性最大输出功率条件下的负载电阻；(2)线性最大输出功率；O1040u(V))i(μA)5μW10μW