2013光电子器件试题A.doc

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1、系名____________班级____________姓名____________学号____________密封线内不答题成都信息工程学院考试试卷2012——2013学年第2学期课程名称：光电子器件使用班级：电科10级试卷形式：开卷闭卷√．试题一二三四五六七八九十总分得分一、选择题（共20分，每小题2分）1.对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）。A电子为多子B空穴为少子C能带图中施主能级靠近于导带底D能带图中受主能级靠近于价带顶2.下列光电器件,哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压（）。ASi光电二极管BPIN光电二极管C雪崩光电二极管D光电三极管3.对于光

2、敏电阻，下列说法不正确的是（）。A弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系B光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度C光敏电阻具有前历效应D光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动4.下列探测器最适合于作为光度量测量的探测器（）A热电偶B红外光电二极管C2CR113蓝硅光电池D杂质光电导探测器5.电荷耦合器件分（）A线阵CCD和面阵CCDB线阵CCD和点阵CCDC面阵CCD和体阵CCDD体阵CCD和点阵CCD6.光通亮φ的单位是（）——第5页——系名____________班级____________姓名____________学号____________密封线内不答题A

3、焦耳(J)B瓦特(W)C流明(lm)D坎德拉(cd)7.硅光二极管主要适用于（）A紫外光及红外光谱区B可见光及紫外光谱区C可见光区D可见光及红外光谱区8.可见光的波长范围为（）A200—300nmB300—380nmC380—780nmD780—1500nm9.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和（）A计算B显示C检测D输出10.热效应较大的光是（）。A紫光B.红光C红外D紫外二、填空题（共20分，7、8、9题每空2分，其余每空1分）1.激光器的三个主要组成部分是：、、。2.光电池是根据___________效应制成的将光能转换成电能的一种器件。3.光电探测器

4、的最小可探测功率是指__________________________________。4．CCD与其它器件相比，最突出的特点是它以_____________作为信号，而其他大多数器件是以_____________或者______________作为信号。5．CCD的工作过程是信号电荷的__________________、________________、______________和_________________。6.当温度上升时，热敏电阻的阻值也上升，则电阻的温度系数为正，反之为负，那么金属材料的热敏电阻的温度系数为_____________，半导体材料的热敏电阻

5、温度系数为__________________。7.光电二极管的灵敏度为R，光的频率为ν，则其量子效率为____________。8.光敏电阻的禁带宽度为2eV,则其光谱响应的峰值波长为____________。9.某一探测灵敏度为10µA/µW,噪声电流为0.01µA，当信号电流为10µA时，此时的噪声等效功率（NEP）为____________。——第5页——系名____________班级____________姓名____________学号____________密封线内不答题三、分析说明题（共28分，每小题7分）1、画出PIN光电二极管的结构图和能带图，并分析说明

6、其频率特性为什么比普通二极管好。2、分别画出正、零和负电子亲和势光电阴极材料的能级图，并分析说明如何获得负电子亲和势。——第5页——系名____________班级____________姓名____________学号____________密封线内不答题3、图a为TCD1206二相驱动波形（Φ1、Φ2相位差1800），根据图a、b分析说明如何实现电荷的存储和转移的。Φ1Φ2t1t2t3t4图a4、何为微通道板？画出微通道板基本结构图，并分析说明器件如何实现倍增。——第5页——系名____________班级____________姓名____________学号_____

7、_______密封线内不答题四、计算题（共32分，第1题12分，其余每小题10分）u’u’’i(μA)502μW1μWu(V)3μW4μW1、某光电管伏安特性及负载线如图所示，求：(1)灵敏度Ri(2)负载电阻RL(3)u′和u″(4)入射光功率从4μW降为1μW时，输出电压变化ΔuOu′u″50u(V))251615105i(μA)2μW1μW3μW4μW——第5页——系名____________班级____________姓名____________学号____________密封线内不答题2、已知