光电子器件new

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1、第1章光电导探测器1.1光电子器件的基本特性1.1.1光谱响应率和响应率1.1.2最小可探测辐射功率和探测率1.1.3光吸收系数1.2光电导探测器原理1.2.1光电导效应1.2.2光电导电流1.2.3光电导增益1.2.4光电导灵敏度1.2.5光电导惰性和响应时间1.2.6光电导的光谱响应特性1.2.7电压响应率1.2.8探测率D1.3光敏电阻1.3.1光敏电阻的结构1.3.2光敏电阻的特性第2章结型光电探测器2.1光生伏特效应2.1.1PN结2.1.2PN结光生伏特效应2.2光电池2.2.1光电池的结构2.2.2光电池的电流与电压2.2.3光电池的主要特性2.3光电二极管2.3.1PN结型

2、光电二极管2.3.2PIN型光电二极管2.3.3雪崩型光电二极管（APD）2.4光电三极管2.4.1光电三极管结构和工作原理2.4.2光电三极管的主要性能参数第3章光电阴极与光电倍增管3.1光电发射过程3.1.1外光电效应3.1.2金属的光谱响应3.1.3半导体光电发射过程3.1.4实用光电阴极3.2负电子亲和势光电阴极3.2.1负电子亲和势光电阴极的原理3.2.2NEA光电阴极中的电子传输过程3.2.3NEA阴极的量子产额3.2.4负电子亲和势阴极的工艺及结构3.3真空光电管3.3.1真空光电管工作原理3.3.2真空光电管的主要特性3.4光电倍增管3.4.1光电倍增管结构和工作原理3.4

3、.2光电倍增管主要特性和参数3.4.3光电倍增管的供电电路第4章微光像增强器4.1像管的基本原理和结构4.1.1光电阴极4.1.2电子光学系统4.1.3荧光屏4.1.4光学纤维面板4.2像管主要特性分析4.2.1像管的光谱响应特性4.2.2像管的增益特性4.2.3像管的光传递特性4.2.4像管的背景特性4.2.5像管的传像特性4.2.6像管的时间响应特性4.2.7空间分辨特性4.3红外变像管4.3.1玻璃管型的红外变像管4.3.2金属型红外变像管4.4第一代微光像增强器4.5微通道板4.5.1通道电子倍增器4.5.2微通道板的增益特性4.5.3电流传递特性4.5.4微通道板的噪声4.5.5

4、微通道板的噪声因子4.6第二代微光像增强器4.6.1近贴式MCP像增强器4.6.2静电聚焦式MCP像增强器4.6.3第二代微光像增强器的优点4.6.4第二代微光像增强器的缺点4.7第三代微光像增强器4.8第四代微光像增强器第5章摄像管5.1摄像管的工作方式5.2摄像管的性能指标与评定5.2.1摄像管的灵敏度5.2.2摄像管的光电转换5.2.3摄像管的分辨率5.2.4摄像管的惰性5.2.5摄像管的灰度5.3氧化铅光电导视像管5.3.1氧化铅靶结构5.3.2视像管的结构5.3.3视像管的工作原理5.3.4氧化铅视像管特性第6章CCD和COMS成像器件6.1电荷耦合器件的基本原理6.1.1MOS

5、结构特征6.1.2CCD势阱深度和存储电荷能力6.1.3电荷耦合原理6.2电荷耦合器件基本结构6.2.1转移电极结构6.2.2转移信道结构6.2.3通道的横向限制6.2.4输入结构6.2.5输出结构6.3CCD的主要特性6.4电荷耦合成像器件6.4.1线阵电荷耦合成像器件6.4.2面阵电荷耦合成像器件（ACCID）6.4.3两种面型结构成像器件的比较6.4.4扫描方式与读出转移动作6.5彩色CCD成像器件6.5.1彩色摄像器件6.5.2数码相机6.6CMOS型成像器件的像素构造6.6.1PN结光电二极管方式6.6.2光电门+FD方式6.6.3掩埋型光电二极管+FD方式6.7cMOS成像器件

6、的彩色像素6.8CM（）S与CCD图像器件的比较第7章致冷型红外成像器件7.1SPRITE红外探测器7.1.1碲镉汞的性质7.1.2SPRITE探测器的工作原理与结构7.1.3SPRITE探测器的响应率7.2红外焦平面阵列的结构和工作原理7.2.1红外探测的原理7.2.2红外焦平面阵列特点7.2.3红外焦平面阵列的材料7.2.4混合式IRFPA之倒装式结构7.2.5混合式IRFPA之Z平面结构7.2.6单片式阵列之PtSi肖特基势垒IR.FPA7.2.7单片式阵列之异质结探测元IRFPA7.2.8单片式阵列之MIS像元IRFPA7.2.9准单片式阵列结构7.3.IRFPA的性能参数17.3

7、.1光伏型红外探测器的电压响应率17.3.2光伏型红外探测器的噪声和探测率7.3.3光子探测器的背景辐射限制7.3.4IRFPA的其他特性简述7.4红外成像器件与材料的制备7.4.1材料制备技术7.4.2衬底的选择与制备7.4.3PN结的制作第8章微测辐射热计红外成像器件8.1热探测器的基本原理8.1.1热探测器的基本原理8.1.2热探测器的温度噪声限制8.2微测辐射热计的工作原理8.2.1微测辐射热计的工作模式8.2.