flash驱动编程及实验.ppt

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1、Norflash驱动编程及实验议程实验目的硬件原理软件原理问题与讨论实验目的学习Flash基本原理,熟悉对Flash的读写操作过程硬件原理Flash简介39VF160简介电路连接39VF160详细说明Flash简介Flash-ROM（闪存）已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存，与EEPROM相比具有读写速度快，而与SRAM相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于NOR和NAND结构的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术(本实验的对象是NORFLASH)。Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局

2、面。39VF160简介39VF160是SST公司推出的一种SuperFlash型的存储器芯片,属于SST公司并行闪速存储器系列产品中的多功能型闪速存储器(MultiPurposeFlash)。采用2.7—3.6V电源供电,可方便地应用于嵌入式系统的电路设计中。低功耗，在选通情况下是15mA，在非选通的情况下是4uA。SST39VF160由SST特有的高性能的SuperFlash技术制造而成，SuperFlash技术提供了固定的擦除和编程时间，与擦除/编程周期数无关。39VF160简介SST39VF160功能框图地址缓冲器和锁存器控制逻辑存储器Y-译码器I/O缓冲器

3、和数据锁存器X-译码器WEOE#CE#储存器地址DQ15-DQ0电路连接SST39VF160的电路连接图电路连接SST39VF160引脚定义符号引脚名称功能A19～A0地址输入存储器地址。扇区擦除时，A19～A11用来选择扇区。块擦除时，A19～A15用来选择块。DQ15～DQ0数据输入/输出读周期内输出数据，写周期内输入数据。CE#片选为低电平时启动器件开始工作。OE#输出使能数据输出缓冲器的门控信号。WE#写使能控制写操作。Vdd电源供给电压。Vss地地NC不连接悬空引脚。其中，脚DQ6、DQ7为状态指示位。DQ6：0与1转换是正在处于写入/擦除的算法周期，当

4、停止转换时，内部操作完成。DQ7：写入时，若读操作生成上次写入DQ7的数据的补码，编程完成后生成DQ7的真实数据；擦除时，DQ7产生“0”擦除后产生“1”。39VF160详细说明命令定义具体操作39VF160详细说明命令定义SST39VF160的存储器操作由命令来启动。SST39VF160闪速存储器的读写时序与一般存储器的读写时序相同，当OE#和CE#信号同时为低电平时，可对芯片进行读操作；当WE#和CE#信号同时为低电平进行写操作。SST39VF160通过特定的指令代码可以完成字节、扇区或整体芯片的写入和擦除操作。操作命令定义如下表所示。39VF160详细说明命

5、令指令定义命令时序第1个总线写周期第2个总线写周期第3个总线写周期第4个总线写周期第5个总线写周期第6个总线写周期地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据写编程5555HAAH2AAAH55H5555HA0HWA数据扇区擦除5555HAAH2AAAH55H5555H80H5555HAAH2AAAH55HSax30H块擦除5555HAAH2AAAH55H5555H80H5555HAAH2AAAH55HBax50H芯片擦除5555HAAH2AAAH55H5555H80H5555HAAH2AAAH55H5555H10H软件ID入口5555HAAH2AAAH55H

6、5555H90HCFI查询入口5555HAAH2AAAH55H5555H98H软件ID/CFI退出XXHF0h软件ID/CFI退出5555HAAH2AAAH55H5555HF0H注：Sax用于扇区擦出，使用A19～A11地址线。Bax用于块擦出，使用A19～A15地址线。WA=编程字地址。39VF160详细说明具体操作Flash存储器的操作包括对Flash的擦除和烧写，由前面所介绍的Flash存储器的工作原理可知，对Flash存储器的编程与擦除是与具体的器件型号紧密相关的，由于不同的厂商的Flash存储器在操作命令上可能会有一些细微的差别，Flash存储器的烧写、

7、擦除程序一般不具有通用性，针对不同厂商、不同的型号的Flash存储器，程序应做相应的修改。本文以SST39VF160为例，其它的芯片编程方法与之类似。39VF160详细说明具体操作可以分为以下本个操作擦除烧写状态检测39VF160详细说明擦除SST39VF160的存储空间为2MB，内部划分为块，每个块又分成16个扇区。SST39VF160的块大小为32K字，扇区大小为2K字。对于该芯片的擦除操作可以通过三种途径来实现。整体擦除(ChipErase)块擦除(BlockErase)扇区擦除(SectorErase)39VF160详细说明整体擦除(ChipErase)S

8、ST39V