苏州大学实验报告-flash在线编程实验

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1、苏州大学实验报告院、系　　　　　　　　年级专业　　　　　姓名　　　　学号　　　　　课程名称　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　成绩　　　　　指导教师　　　　　　　　　同组实验者　　　　　　实验日期　　　　　实验名称：　Flash在线编程实验　　　　　　　一．实验目的　　通过该实验，进一步熟悉MT-IDE嵌入式开发系统环境、汇编和C语言以及调试方式；进一步学习串口的相关内容；掌握Flash存储器在线编程的基本概念；熟悉GP32芯片Flash存储器在线编程擦除和写入的步骤；理解课本中的程序代码。二．实验内容　　通过PC机的串口发送数据到MCU方，然后将接受到的数据写入到fla

2、sh中以0x8000地址开始的一页中。最后将写入的数据读出发送到PC端校验。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　三．实验过程（一）基本过程（1）页擦除操作下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节):①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位):进行页面擦除；②读Flash块保护寄存器FLBPR；③向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0；④延时tnvs(>10μs)；⑤$A→FLCR(1→HVEN位)；⑥延时terase(>1ms)；⑦$8→FLCR(0→ERASE位)；⑧

3、延时tnvh(>5μs)；⑨$0→FLCR(0→HVEN位)；⑩延时trcv(>1μs)，完成一页的擦除操作。（2）整体擦除操作下面过程擦除GP32的整个Flash区域，以便把新的程序装入Flash存储器，这是应用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。①6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位):进行整体擦除；②Flash块保护寄存器FLBPR；③向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向首地址写入0；④延时tnvs(>10μs)；⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)；⑥延时tMerase(>4ms)；⑦$C→FLCR(

4、0→ERASE位)；⑧延时tnvhl(>100μs)；⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)；⑩延时trcv(>1μs)，完成整体擦除操作。（3）编程操作第4页MC68HC908GP32的Flash编程操作以行(64字节)为单位进行的。当然，一次写入可以小于一行，但不能大于一行。对于已经写过的部分未经擦除不能重新写入变更其数据，否则将引起数据出错。写入过程如下:a.$1→FLCR(1→PGM位)；b.读Flash块保护寄存器FLBPR；c.向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入0，这一步选定了所要编程的行，以下的目标地址必需在这一

5、行中；d.延时tnvs(>10μs)；e.$9→FLCR(1→HVEN位)；f.延时tpgs(>5μs)；g.待写数据写入对应的Flash地址；h.延时tprog(>30μs)，完成一个字节的写入(编程)工作；i.重复g、h，直至同一行内各字节写入完毕；j.$8→FLCR(0→PGM位)；k.延时tnvh(>5μs)；l.$0→FLCR(0→HVEN位)；m.延时trcv(>1μs)以后，完成本行写入工作，可以读出校验。四．编程（一）流程图开始头文件和声明MCU、SCI初始化复位1?结束图1Flash存储器流程图（二）所用寄存器名称及其所用的位Flas控制寄存器（FlashCon

6、trolRegister，FLCR）数据位D7D6D5D4D3D2D1D0定义xxxxHVENMASSERASEPGM复位00100000Flash块保护寄存器（FlashBlockProtectRegister，FLBPR）第4页Flash块保护寄存器设定的只是保护区域的起始地址，保护区域的结束地址始终为Flash存储区的结束地址（$FFFF）。对MC68HC908GP32而言，FLBPR设定的是16位起始地址的第14～7位（第15位恒为1）。（三）主要代码段1．汇编方式：主程序部分代码……MainInit:://复位后程序从此开始执行//[系统初始化]SEILDHX#$023

7、F//堆栈初始化TXSJSRMCUInit//调系统初始化子程序GP32Init//[串行口初始化]JSRSCIInit//[程序总循环入口]MainLoop://[发送1个握手信号86]LDA#86//发送握手信号86JSRSCISend1//[等待接收1的握手信号56]JSRSCIRe1CMP#56//是否是56?BNEMainLoop//否,继续握手//[等待接收1个字节=要写入的字符个数(<=64)并存到N中]JSRSCIRe1STAN//[等待接收N个字节并存到以DAT