场效应管分类与特点.ppt

《场效应管分类与特点.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在PPT专区-天天文库。

1、场效应管分类与特点主讲人：王宇浩什么是场效应管？场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。目录1.场效应管的作用2.场效应管的分类3.场效应管的工作原理3.1PN结3.2结型场效应管3.3绝缘栅场效应管g栅极d漏极S源极场效应管的作用1.场效应管可应用于放大。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变

2、换。3.场效应管可以用作可变电阻。4.场效应管可以方便地用作恒流源。5.场效应管可以用作电子开关。场效应管的分类按沟道材料分N沟道和P沟道两种。按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应管结型场效应管绝缘栅型场效应管P沟道结型场效应管N沟道结型场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型N沟道增强型P沟道增强型PN结掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）多子扩散少子漂移多空穴多电子结型场效应管基本结构及符号如图（a）

3、所示,在一块N型硅半导体两侧制作两个P型区域,形成两个PN结,把两个P型区相连后引出一个电极,称为栅极,用字母G(或g)表示。（a）结构;(b)N沟道结型场效应管符号;(c)P沟道结型场效应管符号;工作原理在栅极和源极之间加上反向电压UGS，使PN结反向偏置，则可以通过改变UGS的大小来改变耗尽层的宽度。当反向电压的值UGS变大时，耗尽层将变宽，于是导电沟道的宽度相应地减小，使沟道本身的电阻值增大，于是，漏极电流ID将减少。所以，通过改变UGS的大小，即可控制漏极电流ID的值。VGS=0，VDS=0,ID=00

4、GS↑耗尽层变宽VP为夹断电压VGS=VP导电沟道被全夹断VDS>0但VGS-VDS

5、场效应管基本结构及符号(a)N沟道结构图;(b)N沟道符号;(c)P沟道符号;b增强型绝缘栅型场效应管原理VGS>0→g吸引电子→反型层→导电沟道VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑特性曲线N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图a所示。在uGS≥UGS（th）时,iD与uGS的关系可用下式表示:其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线如图所示（a）转移特性（b）输出特性耗尽型绝缘栅场效应管图为N沟道耗尽型场效应管的结构图。其结构与增强型场效应管的结构相似,不同的是这种管子

6、在制造时,就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子。耗尽型MOS管结构及符号图(a)N沟道结构图;（b）N沟道符号;（c）P沟道符号;特性曲线在uGS≥UGS（off）时,iD与uGS的关系可用下式表示:N沟道耗尽型场效应管特性曲线（a）转移特性;（b）输出特性;谢谢观看