场效应管的分类

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1、场效应管的分类场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）。MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道。结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的，输入电阻（105～1015）之间

2、；绝缘栅型是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄从而控制电流的大小，其输入阻抗很高(栅极与其它电极互相绝缘)。它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。场效应管的型号命名方法　　现行场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。　　第二种命名方法是CS××#，CS代表场效

3、应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。场效应管所有厂家的中英文对照表在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管

4、都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。　1．"型号"栏　表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。　2．"厂家"栏　为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：ADV美国先进半导体公司AEG美国AEG公司AEI英国联合电子工业公司AEL英、德半导体器件股份

5、公司ALE美国ALEGROMICRO公司ALP美国ALPHAINDNSTRLES公司AME挪威微电子技术公司AMP美国安派克斯电子公司AMS美国微系统公司APT美国先进功率技术公司ATE意大利米兰ATES公司ATT美国电话电报公司AVA美、德先进技术公司BEN美国本迪克斯有限公司BHA印度BHARAT电子有限公司CAL美国CALOGIC公司CDI印度大陆器件公司CEN美国中央半导体公司CLV美国CLEVITE晶体管公司COL美国COLLMER公司CRI美国克里姆森半导体公司CTR美国通信晶体管公司CSA

6、美国CSA工业公司DIC美国狄克逊电子公司DIO美国二极管公司DIR美国DIRECTEDENERGR公司LUC英、德LUCCAS电气股份公司MAC美国M/A康姆半导体产品公司MAR英国马可尼电子器件公司MAL美国MALLORY国际公司MAT日本松下公司MCR美国MCRWVETECH公司MIC中国香港微电子股份公司MIS德、意MISTRAL公司MIT日本三菱公司MOT美国莫托罗拉半导体公司MUL英国马德拉有限公司NAS美、德北美半导体电子公司NEW英国新市场晶体管有限公司NIP日本日电公司NJR日本新日本

7、无线电股份有公司NSC美国国家半导体公司NUC美国核电子产品公司OKI日本冲电气工业公司OMN美国OMNIREL公司OPT美国OPTEK公司ORG日本欧里井电气公司PHI荷兰飞利浦公司POL美国PORYFET公司POW美国何雷克斯公司PIS美国普利西产品公司PTC美国功率晶体管公司RAY美、德雷声半导体公司REC美国无线电公司RET美国雷蒂肯公司RFG美国射频增益公司RTC法、德RTC无线电技术公司SAK日本三肯公司SAM韩国三星公司SAN日本三舍公司SEL英国塞米特朗公司DIT德国DITRATHERM

8、公司ETC美国电子晶体管公司FCH美国范恰得公司FER英、德费兰蒂有限公司FJD日本富士电机公司FRE美国FEDERICK公司FUI日本富士通公司FUM美国富士通微电子公司GEC美国詹特朗公司GEN美国通用电气公司GEU加拿大GENNUM公司GPD美国锗功率器件公司HAR美国哈里斯半导体公司HFO德国VHB联合企业HIT日本日立公司HSC美国HELLOS半导体公司IDI美国国际器件公司INJ日本国际器件公司INR美、德国际整流器件公司INT