高纯水标准什么.doc

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1、高纯水标准是什么？高纯水标准大连光伏高纯水设备,沈阳多晶硅材料清洗用高纯水设备,大连触摸屏清洗纯水设备1主题内容与通用范围本标准给出了电力半导体器件工艺用高纯水(以下称高纯水)的级别、技术要求、测试方法和规则。本标准适用于去离子处理后的高纯水。2引用标准  GB11446电子级水及其检测方法3术语3．1电导率electricalconductivityctricalconduc2ivity在规定温度下，1cm3水溶液两相对面之间测得的电阻值的倒数。电导率通常以μS/cm为单位。水的理论电导率为0.0548μs/cm(25℃时)。3．2电阻率resist

2、ivity电导率之倒数。纯水的理论电阻率为18.3MΩ.cm(25℃时)。温度升高时电阻率下降。3．3颗粒性物质granularsulbstance除气体以外，以非液态形式分散在水中，并形成非均匀相混合物的物质。3．4总有机碳(TOC)totalorganiccarbon水中以各种有机物形式存在的碳的总量。包括易被—般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊化的有机物。3．5总固体totalsolid水样蒸发、烘干后残留的固总量。3.6全硅totalsilicon 水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量。全硅和可溶性硅之差即叫为胶体硅。3．7高纯水hig

3、h-purewater,ultrapurewater电阻率在5MΩ•cm以上，各种形式存在的物质含量有一定规定限制的很纯净水 3．8原水rawwatcr 纯化处理之前的水。常用的原水将自来水、井水、河水等。3．9终端terminal。高纯水生产流程中经过各道冲化工艺后，水的出口使用地点。可分别称为制水终端和用水大连光伏高纯水设备,沈阳多晶硅材料清洗用高纯水设备,大连触摸屏清洗纯水设备3．10微量micro-amount试样量在1mg左右。3．11痕量traceamount试样量在1μg左右。3．12百万分之一(ppm)partpermillion重量比

4、的量，相当于每百万重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中，一殷也认为相当每升水样含杂质的毫克数(mg／L)。3．13十亿分之一(ppb)partperbillion重量比的单位，相当于每十亿重量单位重量的溶液中含一单位重量的溶质，在水质分折中，一般认为相当于短升水样含杂质的微克数(μg／L)。4高纯水的级别4．1高纯水可分为电子级高纯水和普通高纯水，分别用符号EH和pH标志。4.2电子级高纯水4．2．1在制造工艺中使用电子级高纯水的电力半导体器件有如下特点：a．具有精细图形结构；b．对器件表面有特殊要求；c．工艺对水质有特定的严格要求。4．2．2

5、电子级高纯水分为两个级别：特级和I级。它们的标志分别是：特级电子级高纯水：EH—T一级电子级高纯水：EH—14．3普通高纯水4．3．1普通高纯水用于一般电力半导体器件的制造工艺中。 4．3．2普双高纯水分为三个级别：Ⅰ级、Ⅱ级和Ⅲ级。它们的标志分别是：I级普通高纯水：pH—Ⅰx级普通高纯水：PH—Ⅱm级普通高纯水：pH—Ⅲ4.4电阻率低于5MΩ•cm的水不能称为高纯水。大连光伏高纯水设备,沈阳多晶硅材料清洗用高纯水设备,大连触摸屏清洗纯水设备5技术要求5．1电子级高纯水5．1．1电子级高纯水应考核四项内容：a.水中自由离子浓度(主要影响电阻率)；b．水

6、中悬浮微粒的数量和大小；C.水中有机物总量；水中细菌微生物状况。5.1.2电子级高纯水的各项技术指标由表1给出。表l指　　　标        级别 EH—T        EH-I电阻率，MΩ•cm(25℃)        18(90％时间）最小17       16~18(90％时间）最小15大于1μm微粒数.个／mL       ＜1       1大于0．5um微被数(最大值)，个／mL       100        150细菌个数，个／mL        ＜1        1总有机碳含量(最大值)，μg／L       50       

7、100全硅(最大值)，μg／L       2       10氯含量(最大值)，μg／L        0.5       2钾含量(最大值)，μg／L        0.2       1钠含量(显大值)μg／L       0.2       1钙含量(最大值)，μg／L       0.5       1铝含量(最大值)，μg／L       0.5       1铜含量(最大值)，μg／L       0.1       1总可溶性固体含量(最大值)，μg／L        3       105．2普通高纯水5．2．1普通高纯水主要考核其电

8、阻率。5．2．2普通高纯水的技术指标由表2给出。表2 指　　　标       级　　　标PH-