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时间:2020-05-27
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1、常用电平标准(TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL.LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL.RS232、RS485等,还有一•些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各日的供电电源、电平标准以及使用注意事项。TL:Transistor-TransistorLogic三极管结构。Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOLv=0.5V;VIH>=2V:VILv=0.8V。因为2.4V与5V之间还有很大空
2、闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTLoLVTTL乂分3.丝、2.5V以及更低电压的LVTTL(LowVoltageTTL)。Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOLv=0.4V;VIH>=2V;VILv=0.8V。2.5VLVTTL:Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VILv=0.7V。更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OKToTTL使用注意:TTL电平般过冲都会比较严重,
3、E能在始端串22欧或33欧电阻;TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。CMOS:ComplementaryMetalOxideSemiconductorPMOS-HMMOSoVcc:5V;VOH>=4.45V;VOLv=0.5V;VIH>=3.5V;VILv=1.5V。相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3VLVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。3.3VLVCMOS:Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOLv=
4、0.1V;VIH>=2.0V;VILv=0.7V。2.5VLVCMOS:Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7VoCMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于vcc一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。ECL:EmitterCoupledLogic发射极耦合逻辑电路(差分结构)Vcc=0V;Vee:-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=・1.36V。速度快,驱动能力强,噪声
5、小,很容易达到几百M的应用。但是功耗大,需要负电源。为简化电源,出现了PECL(ECL结构,改用正电压供电)和LVPECLoPECL:Pseudo/PositiveECVcc=5V:VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64VLVPELC:LowVoltagePECVcc=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94VECL、PECL、LVPECL使用注意:不同电平不能直接驰动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构,必须有电阻拉到一个宜流
6、偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL:直流匹配时用130欧上拉,同时用82欧下拉;交流匹配时用82欧上拉,同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)前面的电平标准摆幅都比较大,为降低电磁辐射,同时提高升关速度又推出LVDS电平标准。LVDS:LowVoltageg差分对输入输出,内部有一个恒流源3.5・4mA,在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。LVDS使用注意:可以达到600M以上,PCB要求较高,差分线要求严格等长,差最好不超过10mil(
7、0.25mm"100欧电阻离接收端距离不能超过500mil,最好控制在300mil以内。下面的电平用的E能不是很多,篇幅关系,只简单做一下介绍。如果感兴趣的话E以联系我。CML:是内部做好匹配的一种电路,不需再进行匹配。三极管结构,也是差分线,速度能达到3G以上。只能点对点传输。类似CMOS的一种结构,输入为比较器结构,比较器一端接参考电平,另一端接输入信号。1.2V电源供电。Vcc=1.2V;VOH>=1.1V;VOLv=0.4V;VIH>=0.85V;VIL<=0.75VGTL:PGTL/GTL+:Vcc=1.5V;VOH>=1.4V;VOL
8、<=0.46V;VIH>=1.2V;VIL<=0.8V是主要用于QDR存储器的一种电平标准:一般有VCCI0=1.8V和VCCIO=1.
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