常用电平标准.doc

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1、常用电平标准(TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL.LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL.RS232、RS485等，还有一•些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各日的供电电源、电平标准以及使用注意事项。TL：Transistor-TransistorLogic三极管结构。Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOLv=0.5V；VIH>=2V：VILv=0.8V。因为2.4V与5V之间还有很大空

2、闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTLoLVTTL乂分3.丝、2.5V以及更低电压的LVTTL(LowVoltageTTL)。Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOLv=0.4V；VIH>=2V；VILv=0.8V。2.5VLVTTL：Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VILv=0.7V。更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OKToTTL使用注意:TTL电平般过冲都会比较严重，

3、E能在始端串22欧或33欧电阻;TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。CMOS：ComplementaryMetalOxideSemiconductorPMOS-HMMOSoVcc：5V；VOH>=4.45V；VOLv=0.5V；VIH>=3.5V；VILv=1.5V。相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3VLVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。3.3VLVCMOS：Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOLv=

4、0.1V；VIH>=2.0V；VILv=0.7V。2.5VLVCMOS：Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7VoCMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于vcc一定值（比如一些芯片是0.7V）时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。ECL：EmitterCoupledLogic发射极耦合逻辑电路（差分结构）Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=・1.36V。速度快，驱动能力强，噪声

5、小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL（ECL结构，改用正电压供电）和LVPECLoPECL：Pseudo/PositiveECVcc=5V：VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64VLVPELC：LowVoltagePECVcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94VECL、PECL、LVPECL使用注意:不同电平不能直接驰动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个宜流

6、偏置电压。（如多用于时钟的LVPECL：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。）前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高升关速度又推出LVDS电平标准。LVDS：LowVoltageg差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5・4mA,在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻（并在差分线上靠近接收端）转换为±350mV的差分电平。LVDS使用注意:可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil（

7、0.25mm"100欧电阻离接收端距离不能超过500mil,最好控制在300mil以内。下面的电平用的E能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍。如果感兴趣的话E以联系我。CML：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配。三极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上。只能点对点传输。类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号。1.2V电源供电。Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOLv=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75VGTL：PGTL/GTL+:Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL

8、<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8V是主要用于QDR存储器的一种电平标准：一般有VCCI0=1.8V和VCCIO=1.