常用电平标准比较

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1、现在常川的电W制TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还右一些速度比较窈的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电〒标准以及使川注意事项。TTL：Transistor-TransistorLogic三极管结构。Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8Vo因为2.4V与5V之间还冇很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会A內増大系统功耗，还会影响速度。所以后來就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTLoLVTTL又

2、分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL（LowVoltageTTL）。3.3VLVTTL：Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。2.5VLVTTL：Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7Vo更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就0K了。TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL电平输入脚悬空时是闪部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。C

3、MOS：ComplementaryMetalOxideSemiconductorPMOS+NMOS。Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。相对TTL奋了更人的噪声稗限，输入阻抗远人于TTL输入阻抗。对应3.3VLVTTL，出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTLH接相互驱动。3.3VLVCMOS：Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7Vo2.5VLVCMOS：Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。CMO

4、S使川注意：CMOS结构内部寄牛有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC—定导致芯片的烧毁。值（比如一些芯片是0.7V）吋，电流足够大的诘，可能引起门锁效ECL：EmitterCoupledLogic发射极糊合巡辑电路（差分结构）Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需耍负屯源。为简化电源，出现了PECL（ECL结构，改用正电压供电）和LVPECL。PECL：Pseudo/PositiveECLVcc=5V；VOH=4.12V；V

5、OL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64VLVPELC：LowVoltagePECLVcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94VECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阯网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个直流偏置电压。（如多用干吋钟的LVPECL：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作活直流电平都在1.95V左右。）前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，M吋提高开关速

6、度又推出LVDS屯平标准。LVDS：LowVoltageDifferentialSignaling差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4mA,在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻（并在差分线上靠近接收端牌换为±350mV的差分电平。LVDS使用注意：nJ以达到600M以上，PCB耍求较高，差分线耍求严格等长，差最好不超过10mil（0.25mm）o100欧电阻离接收端距离不能超过500mil,敁好控制在300mil以内。K面的电T4H的可能不足很多，篇幅关系，只简单做一卜'介绍。如果感兴趣的话可以联系我。CML：是内部做好匹配的-•种电路，不需再进行

7、匹配。三极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上。只能点对点传输。GTL：类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，M—端接输入信号。1.2V电源供电。Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75VPGTL/GTL+：Vcc=1.5V；VOH>=1.4V：VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8VHSTL是主要用于QDR存储器的-种电平标准：一般有VCCIO=1.8V和VCCIO=1.5V。和上面的GTL相似，