十年那些记忆深刻的“能级”考题-论文.pdf

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1、为v—AE=E一E一oA，光子在原子内被处于一+颦酃塑记忆深刻陶4能级的电子吸收，该电子发射出来(电离)，成为俄歇电子，根据能量守恒知其动能为E一+E一A，故选C．¨畿鳎蹭题彝羹茎季嚣爰饕能级都是量子化的．多电子原子内壳层电子能级跃迁释放的能量，可能以X光子形式发．射出来，也可能被◇湖北朱木清其他壳层电子吸收，导致次级电子发射；核激发释放的能量可能以丫光子辐射出来，也可能直接传递给核之所以回顾十年，一是这十年正值课改与考改联外电子，致使核外电子激发发射．特别是在放射性物动．首套新课程卷于2003年由国家考试中心命制(广质内部，这种“内转换”现象从未停止．东、江苏使用)，次年广东、江苏、山

2、东、宁夏、海南五地多电子原子壳层中出现电子“空位”时，高能级的普通高中首批进入新课改，自主命题同步推开；二是电子就会填补这个空位，同时释放能量．通常这个能课标版考纲将选修3-5模块改为选考，本模块考题在量以X射线的形式被释放出来，也可能被转移给另一课标卷中呈“轮回”特点，2014年高考原子物理和光电层的一个电子，导致这个电子脱离原子发射出来．这效应需重点关注．个过程被称为俄歇效应，以发现此过程的法国物理学纵观十年的能级考题，情景创新，亮点频出，久久家(M．P．Auger)俄歇命名．这个被发射的次级电子就难忘．基态与激发态、定态与跃迁、能级与能量量子化是俄歇电子．是原子物理中的一串基本概念

3、．考题多从“能级”角度2内转换切人，将这些概念“一网打尽”，对考查这部分知识有引擎作用．例2(2OO4年江苏卷)若原子的某内层电子被1俄歇效应电离形成空位，其他层的电子跃迁到该空位上时，与盛一．将多余的能量以电磁辐射的形式释放出来，此电磁辐”例1(2003年新课程卷)原子从一个能级跃迁射就是原子的特征X射线．内层空位的产生有多种机到一个较低的能级时，有可能不发射光子．例如在某制，其中一种称为内转换，即原子中处于激发态的核种条件下，铬原子的n一2能级上的电子跃迁到一1跃迁回基态时，将跃迁时释放的能量交给某一内层电能级上时并不发射光子，而是将相应的能量转交给子，使此内层电子电离而形成空位(被

4、电离的电子称r／一4能级上的电子，使之能脱离原子，这一现象叫做为内转换电子)．¨Po的原子核从某一激发态回到基俄歇效应．以这种方式脱离了原子的电子叫做俄歇电态时，可将能量E(】一1．416MeV交给内层电子(如^子．已知铬原子的能级公式可简化表示为E一一，K、I、M层电子，K、IM标记原子中最靠近核的3个rt电子层)使其电离，实验测得从“Po原子的K、I、M式中”一1，2，3，⋯表示不同能级，A是正的已知常数，层电离出的电子的动能分别为E一1．323MeV、则上述俄歇电子的动能是()．7EI一1．399MeV、EM一1．412MeV．则可能发射的特AA；BA；1U1U征X射线的能量为()

5、．1110A0．013MeV；B0．017MeV；cA；D_1_oAC0．076MeV；D0．093MeV如图1所示，依题／Q解析扒Po的原子核将能量E。一1·416MeV交给析意E一一A，E。一K、IM内层电子，电离出的电子的动能分一E一．别为EK一1．323MeV、EL一1．399MeV、EM一1．412，MeV，无穷远势能为0，根据能量守恒可求出K、I、M电子由”一2能级跃迁到层的能级值：1"／一1能级产生的光子能量图11．416+EK一04-1．323，EK一一0．093MeV；44我们的人生随我们花费多少努力而具有多少价值数1．416+EJ一0+1．399，EI一一0．017M

6、eV；跃迁到基态，发出200个光子，另外200个先跃迁到1．416+EM一0+1．412，EM一一0．004MeV．量子数为2的激发态，发出200个光子，接着再跃迁画出Po的原子K、L、M到基态，发出200个光子，共发出1000个光子．三部层电子能级草图如图2所示．分共发出的光子总数是2200个．选项A正确．电离形成空位，其他能级较高3彝惫冀茎季的壳层电子跃迁到该空位上、『时，辐射X射线．可能情况有：K的能级跃迁遵循统计规律．本题假设是一个等概率跃电子M—L辐射的能量图2迁模型，考生从中可体会到统计方法对诠释原子物理h】一EM～E1—0．013MeV；现象的作用．电子L—K辐射能量hvz

7、—E～E一4频率种数计算0．076MeV；、例4(2005年全国卷)图4中画出了氢原子的电子M—K辐射能量hv。一EM—E一0，0894个能级，并注明了相应的能量E．处在一4的能级MeV．故选项A、C正确．答案为A、C．的一群氢原子向低能级跃迁时，E

8、0能够发出若干种不同频率的光一O．85裹囊茎萎—1．51波．已知金属钾的逸出功为给壳层电子而发射出来，而形成内层“空位”；二是其2．22eV．在这些光波中，能够从他能级较高的壳层电子再