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mos晶体管伏安特性

mos晶体管伏安特性

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时间：2017-11-10

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1、oVDSIDSVGSVGS≥VT线性区饱和区NMOS晶体管输出伏安特性曲线NMOS晶体管输出伏安特性nMOS管输出特性漏极扫描方式一otVGGVDDto①②③④⑤①②③④⑤++-+--RDVGSVDSVGG+-VDDnMOS管输出特性曲线显示图像DGSBGDSB沟道MOSFET(晶体管)的伏安特性LtOXWW:沟道宽度L:沟道长度MOSFET的沟道oXYnMOS晶体管输出伏安特性方程WdyoXYnMOS晶体管输出伏安特性方程

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