mos晶体管击穿特性研究

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1、微电子器件课程设计MOS晶体管击穿特性研究班级：微电子0901学号：******姓名：***指导老师：****日期：2012.5.207一、目的研究MOSFET漏源极击穿特性，主要包括：1.验证掺杂浓度对MOSFET漏源极雪崩击穿的影响2.验证栅氧化层厚度对MOSFET漏源极雪崩击穿的影响3.介绍源漏穿通穿通二、工作原理当VDS增大到漏源击穿电压BVDS的值时，反向偏置的漏PN结会因雪崩倍增效应而发生击穿，或在漏区与源区之间发生穿通。这时ID将迅速上升，如图所示。通过改变衬底掺杂浓度和栅氧化层厚度，可改变穿电

2、压BVDS的值得到不同的输出特性曲线三、仿真过程首先构建NMOS结构源代码如下：goathena#网格定义（创建非均匀网格）#Non-UniformGrid(0.6umx0.8um)linexloc=0.00spac=0.10linexloc=0.20spac=0.01linexloc=0.60spac=0.01#lineyloc=0.00spac=0.008lineyloc=0.2spac=0.01lineyloc=0.5spac=0.05lineyloc=0.8spac=0.15#初始衬底参数：浓度、晶向

3、等（浓度1.0e14/cm2晶向100方向）#InitialSiliconStructurewith<100>Orientationinitsiliconc.boron=1.0e16orientation=100two.d#栅极氧化及优化（使氧化层厚度约为100A）#GateOxidationdiffustime=11temp=925.727dryo2press=0.982979hcl.pc=3#提取栅极厚度7#extractname="Gateoxide"thicknessmaterial="SiO~2"m

4、at.occno=1x.val=0.3#阈值电压调整注入（注入9.5e11/cm2的）#ThresholdVoltageAdjustimplantimplantborondose=9.5e11energy=10crystal#多晶硅淀积#ConformalPolysiliconDepositiondepositpolysiliconthick=0.20divisions=10#多晶硅刻蚀#PolyDefinitionetchpolysiliconleftp1.x=0.35#多晶硅氧化#PolysiliconO

5、xidationmethodfermicompressdiffustime=3temp=900weto2press=1.00#多晶硅参杂#PolysiliconDopingimplantphosphordose=3e13energy=20crystal#隔离氧化层淀积#SpacerOxidedepositiondepositoxidethick=0.12divisions=10#侧墙氧化隔离层的形成etchoxidedrythick=0.12#Source/DrainImplant#源漏注入implantar

6、senicdose=5e15energy=50crystal#源漏退火methodfermidiffustime=1temp=900nitropress=1.00#刻蚀通孔#OpenContactWindowetchoxideleftp1.x=0.2#铝淀积#AluminumDepositiondepositaluminumthick=0.03divisions=2#刻蚀铝电极#EtchAluminumetchaluminumrightp1.x=0.18#计算结深extractname="nxj"xjmate

7、rial="Silicon"mat.occno=1x.val=0.2junc.occno=1#获得N++源漏极方块电阻extractname="n++sheetres"sheet.resmaterial="Silicon"mat.occno=1x.val=0.05region.occno=1#测量LDD方块电阻extractname="lddsheetres"sheet.resmaterial="Silicon"mat.occno=1x.val=0.3region.occno=17#测量长沟倒阈值电压ex

8、tractname="1dvt"1dvtntypeqss=1e10x.val=0.5#结构镜像structmirrorright#定义电极electrodename=sourcex=0.1#electrodename=drainx=1.1#electrodename=gatex=0.6#electrodename=backsidebackside#structoutfile=nmos1.str生成结