毕业论文--晶体管伏安特性特性图示仪设计

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时间:2019-03-30

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1、摘要摘要晶体管特性图示仪广泛用于科研,实验教学和工业中,论文选题具有实际意义。本文在学习和查阅相关文件的基础上,介绍了实现一个简易晶体管伏安特性图示仪基本原理和实现方案。在系统硬件设计中,以MCS-51单片机最小系统为核心,扩展了人机对话接口、A/D转换接口;采用555振荡器实现了方波和三角波的输出信号,利用计数器74161和DAC0832产生梯形波,通过比较器LM311构成识别晶体管类型的判断。系统的软件设计是在Keil51的平台上,使用C语言与汇编语言混合编程编写了系统应用软件;包括主程序模块、显示模块、数据采集模块和数据处理模块。最后,实际制作了一台样机,在实验室里进行了测试,结果表明该

2、样机的功能和指标得到了设计要求。关键词:晶体管图示仪,伏安特性,单片机29摘要29ABSTRACTABSTRACTTransistorcurvetracersusedinresearch,teachingandindustrialexperiments,thepracticalsignificanceoftopics.Inthispaper,learningandaccesstorelevantdocuments,basedontherealizationofasimpletransistorintroducedvoltammetriccurvetracersbasictheoryandpro

3、grams.InthesystemhardwaredesigntoMCS-51microcomputerasthecore,extendingtheman-machinedialogueinterfaces,A/Dconversioninterface;Achievedby555squarewaveoscillatorandtrianglewaveoutputsignal,generatedusingcounters74161andDAC0832trapezoidalwave,ConstituterecognitionbythecomparatorLM311transistortypejudg

4、ments.ThesoftwaredesignistheplatformKeil51usingClanguageandassemblylanguageprogrammingpreparedhybridsystemapplicationsoftware;Includingthemainprogrammodule,displaymodule,dataacquisitionmoduleanddataprocessingmoduleFinally,theactualproductionofaprototype,testedinthelaboratoryresultsshowthattheprototy

5、peofthefunctionsandindicatorsarethedesignrequirements.KEYWORDS:TransistorTracer,Volt-amperecharacteristics,Singlesliceofmachine29ABSTRACT29目录目录摘要IABSTRACTIII1前言11.1设计的背景及意义11.2发展历史及研究现状11.3设计所做的工作21.4论文的结构安排22晶体管图示仪的系统设计32.1晶体管的工作状态32.2系统的原理框图32.3设计的方案与选择42.3.1电源模块42.3.2晶体管伏安特性曲线测试模块42.3.3晶体管放大倍数的显示

6、模块53晶体管图示仪的系统硬件设计73.1MCS-51单片机最小系统73.2电源电路设计83.3AD转换电路设计93.3.1ADC0809的内部逻辑结构93.3.2ADC0809引脚结构93.3.3ADC0809应用说明103.3.4A/D电路的设计原理113.4波形发生电路设计113.4.1阶梯波与三角波产生电路113.4.2555振荡器的管脚功能123.5显示电路设计134晶体管图示仪的软件设计174.1软件结构框图174.2数据采集电路的软件设计174.3显示电路的软件设计195系统的调试与测试215.1调试和测试仪器215.2系统的调试2129目录5.3测试结果与分析236结论与展望

7、276.1结论276.2展望27致谢29参考文献3029前言1前言1.1设计的背景及意义晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN

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