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《EBSD研究高纯金溅射靶材的微观组织与织构-论文.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库。
1、2014年8月贵金属Aug.2014第35卷第3期PreciousMetalsVo1.35,No.3EBSD研究高纯金溅射靶材的微观组织与织构阳岸恒,朱勇,邓志明,谢宏潮,张国全,吴霏(贵研铂业股份有限公司稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室,昆明650106)摘要:溅射靶材的微观组织均匀性、晶粒尺寸大小及晶粒取向分布对溅射性能有着直接的影响。采用电子背散射衍射(EBSD)技术对制备的高纯Au溅射靶材不同区域的微观组织、织构组分和晶界取向差进行了研究。结果表明,高纯金靶材整体晶粒尺寸分布均匀,平均尺寸
2、192.5nm,边沿及中心晶界取向差分布比较相似,组织均匀性良好,对溅射高质量薄膜十分有利。关键词:金属材料;高纯金;溅射靶材;电子背散射衍射;取向差;织构中图分类号:TG146.3l文献标识码:A文章编号:1004.0676(2014)03.0045—04InvestigationonMierostruetureandTextureinHighPureGoldSputteringTargetsbyEBSDYANGAnheng,ZHUYong,DENGZhiming,XIEHongchao,ZHANG
3、Guoquan,WUFei(StateKeyLaboratoryofAdvancedTechnologiesforComprehensiveUtilizationofPlatinumMetals,Sino-PlatinumMetalsCo.Ltd.,Kunrning650106,China)Abstract:Thefunctionofsputteringtargetsisdirectlyafectedbythehomogeneityofmicrostructure,grainsizeandorient
4、ationdistribution.ThernicrostructureandtextureinthediferentregionsofhighpuregoldsputeringtargetsisanalyzedbyEBSD.Accordingtostudyingresult,thegrainsizeandmicrostructureofthepreparedtargetisunifoFin,averagegrainsizeis192.5hil1.Themisorientationdistributi
5、onofedgeandcenteringoldtargetisquitesimilar.Allofthesearebeneficialforhighqualitysputteredfilm.Keywords:metalmaterials;high-puritygold;sputteringtargets;EBSD;misorientation;texture随着集成电路芯片特征尺寸不断缩小,晶圆的技术是进行快速而准确的晶体取向测量和相鉴定的尺寸逐步加大,为了保证薄膜质量及成品率,溅射强有力的分析工具,
6、可给出靶材微区均匀程度、晶靶材朝着高纯度、晶粒细化、组织结构均匀化、大粒尺寸及分布、晶粒取向分带等,广泛的应用于晶型化的方向发展。研究【】】表明,晶粒尺寸和取向对体取向,微织构分析,相鉴定,真实晶粒尺寸测量,靶材的性能有很大影响,主要表现在:①随着晶粒微区应变分析等领域[24]。本文采用EBSD技术对高尺寸的增加,薄膜沉积速率趋于降低;②在一定的纯金靶材的微观结构,特别是晶粒取向和晶粒尺寸晶粒尺寸范围内,晶粒取向越一致越好,薄膜沉积分别进行了研究。速率高和薄膜厚度均匀性好;③当靶材晶粒尺寸超过合适的晶
7、粒尺寸范围时,必须严格控制靶材的晶1实验粒取向。因此,对于靶材的晶粒取向、晶粒尺寸等的微观结构分析就显得尤为重要。采用5N高纯海绵金通过中频熔炼浇铸、大塑相对来说,x射线衍射对靶材晶粒取向的测定性变形多向冷轧、精密机加工得到靶材后,取样进得到的是较为宏观信息,而电子背散射衍射(EBSD)行表面机械磨抛后,采用电解抛光的方法去除样品收稿日期:2013.10.30基金项目:国家科技支撑计~J(2012BAE06B05)。第一作者:阳岸恒,男,工程师,研究方向:金基蒸发材料的生产与研发。Emaihyanga
8、nheng@sina.com贵金属第35卷从图4可以看出,2个样品均存在微弱的织构。布的有效手段,可为靶材的微观组织和织构变化的根据分析可知,图4(a)主织构为{110}<221>,密度表征分析提供技术支持。值为3.0,次织构为{110}<001>,密度值为2.5;图40,)样品中主织构为f110},密度值为3.2,次参考文献:织构为f110},密度值为1.9。边沿和中心的[1]FukuyoHideaki,SawamuraIehiro
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