掺铝氧化锌的工艺参数对low—e面电阻的影响

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1、上海建材科技前沿掺铝氧化锌的工艺参数新闻对Low—E面电阻的影响信息上海耀华皮尔金顿玻璃股份有限公司陈波摘要：通过改变ZnAlO靶的氧气量以及溅射功率，测量Low-E膜层面电阻的变化，分析掺铝氧化锌薄膜对低辐射镀膜玻璃面电阻的影响。关键词：ZnAlO磁控溅射面电阻玻璃离线低辐射镀膜玻璃是利用磁控溅射的方法，将银STRATOMETER表面电阻仪。及和介质化合物(氧化物或氮化物)溅射沉积到玻璃表面，实验保持Ag功率不改变的情况下，通过改变深形成一定的膜层结构，其中银薄膜是功能膜，起反射红ZnA10靶的各种工艺参数，用STRATOMETER表面电加外线、使玻璃原片的辐

2、射率从84％降低到4％一12％的作阻仪分析薄膜面电阻的变化。32用；介质膜层起调整整个膜系的可见光透射率和干涉(1)改变通入ZnA10靶的氧气的量，控制ZnA10靶色、保护银膜层不被腐蚀和划伤的作用lI。的氧分压以5mV变化，从入=265mV至=285mV低辐射薄膜的面电阻主要取决于Ag层的面电阻。测量薄膜面电阻的变化；磁控溅射Ag膜是以岛状模式形成和成长的。随着膜厚(2)改变ZnA10靶溅射功率，测量薄膜面电阻的的增加，由独立的晶核逐渐过渡到小岛阶段，经过小岛变化。长大和岛的联并直至形成连续薄膜。当Ag层比较薄时，2结果与讨论薄膜是以岛状结构存在的，有比较多的

3、缺陷，不是连续2．1氧气分压量的影响的薄膜，此时它的面块电阻很大；当银膜的厚度逐渐增(1)保持ZnA10靶溅射功率以及氩气量不变，减少加时，薄膜变得逐渐连续，薄膜的凹凸起伏变小，趋向通入的氧气量，控制ZnA10靶的氧分压以5mV变平整，薄膜的面块电阻逐渐下降[21。化，从=265mV至)L=285mV(越低，氧气量越多；常用介质膜层有SnO、ZnO、TiO、NiCrO、SiN等。越高，氧气量越低，越接近氧化态至金属态的转变点)，其中SnO有良好的抗腐蚀性，但SnO薄膜表面粗糙，测量薄很容易被银原子渗透。ZnO有光滑的表而，可以加速银膜的成核，得到很好的导电性，用

4、它作介质层，可以得到比只用SnO的低辐射薄膜有更高的可见光透射率和低的辐射率、传热系数，它的缺点在于易被s0腐蚀同。本文研究在制备低辐射镀膜玻璃时，保持银层厚度不变的情况下，ZnAIO靶的工艺参数对薄膜面电阻的影响，使用表面电阻仪表征薄膜面电阻的变化。图1ZnAlO功率不变，氧分压对薄膜面电阻的影响1实验方法图1说明ZnA10靶在过氧的状态以及接近转变点试验设备：上海耀皮工程玻璃有限公司TG镀膜线，时，薄膜的面电阻是较高的。从过氧状态开始，随着通实验膜层结构：SnOJZnO／Ag／NiCrO／SnO。ZnA10靶材采入的氧气量的减少、氧分压的增大，薄膜面电阻先用

5、Heraeus生产的掺铝氧化锌旋转靶材，溅射气体采用降后升。在=275mV时，薄膜的面电阻最低。纯度为99．99％的Ar、O。基片玻璃采用耀皮常熟生产(2)考虑到在改变ZnA10靶通人的氧气量时，靶材线的6mil白片，薄膜表面电阻的测量使用的溅射背景气压也有一定的变化，这会同时造成靶材的溅射效率的改变。为了避免ZnAIO靶溅射效率对薄膜电性能的影响，在减少ZnAIO靶通入的氧气量，控制ZnAIO靶的氧分压以5mV变化，从=265mV至=285mV的同时，对ZnA10靶的溅射功率做出一定的调整，保持SnO2／ZnO的总膜厚保持基本一致，即样品玻璃的颜色基本不变。图

6、4保持ZnAIO靶氧分压=275mV，SnO2功率不变，增加ZnAIO靶溅射功率对面电阻影响图4说明在ZnAIO靶溅射功率较低和较高时，薄膜面电阻较差。随着ZnAIO靶溅射功率由低到高，薄膜面电阻先降后升，ZnAIO功率在11kW至23kW之间，图2底层膜厚不变。氧分压对薄膜面电阻的影响薄膜面电阻较低。图2说明ZnAIO靶在过氧的状态以及接近转变点试验表明，ZnAIO靶溅射功率增加，导致等离子体时，薄膜的面电阻是较高的。从过氧状态开始，随着通密度增加，较多的氩离子以较高的能量撞击靶材使产入的氧气量的减少、氧分压入的增大，薄膜面电阻先生的溅射粒子数增加，从而沉积速

7、率得到提高。撞击产降后升。在=275mV时，薄膜的面电阻最低。生的溅射粒子以较高的能量沉积到基片上形成ZnO薄试验表明，在ZnA10靶的溅射过程中加入一定量膜，因此，膜层与基片的粘附力以及膜层的致密性都有的氧气能够有利于ZnO薄膜的生成，减少薄膜的缺陷，所提高，另外，晶体结构也得到进一步优化，因此，随功有利于改善膜层的电性能。当氧气量过多时，ZnO薄膜率增加，薄膜的导电性得到改善。ZnO薄膜在形成过程晶粒较小，晶面间距大，薄膜表面较为疏松，从而影响中不断受到溅射粒子的轰击作用，当ZnAIO靶溅射功薄膜电性能；而在氧气量较多时，薄膜晶化程度较高，薄率太高时，溅射出

8、来的高能粒子易损害生长的