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1、采用盐还原法的直接电镀工艺乔楠摘要概述了采用盐还原法的直接电镀工艺,可以显著地改善操作环境,提高产品品质和生产效率,适。用于制造孔金属化印制板关健词印制板直接电镀硅烷偶联剂盐前言传统的孔金属化印制板制造工艺中,通常在覆铜板钻孔以后进行化学镀铜,使孔壁部分获得导电性的化学镀铜层,作为。然而化学以后电镀铜的基底导电层镀铜溶液易于自发分解、必须进行严格的镀液管理,化学镀铜液使用高毒性的还原剂,污染作业环境,危害人体健康,镀前处理工艺繁杂,化学沉铜速度较低鉴于化学镀铜工艺存在的上述问题,从年代中期起人们就致力于淘汰化学镀铜工艺的孔金属化直接电镀工艺。迄今为
2、止,直接电镀的工艺方法有①利用碳黑石墨悬浮液②利用导电性聚合物③利用催化胶体④利用催化金属硫族化物转化涂层等工艺在孔壁上形成直接电镀用的基底导电层本文介绍的是利用盐还原法形成导电性基底导电层的直接电镀工艺。工艺概述工艺程序利用盐还原法的直接电镀工艺程序如下采用含有硅烷偶联剂的溶液处理基材采用含有阴离子表面活性剂的溶液处理基材采用含有硫脉及其衍生物等含化合物和盐化合物的溶液处理基材采用含有还原剂的溶液处理基材直接电镀。现就利用盐还原法的直接电镀工艺中的主要工艺程序加以介绍。硅烷偶联剂处理基材经过钻孔,刷板和清洁以后,采用含有硅烷偶联剂的溶液进行处理,
3、以便在基材表面上形成硅烷偶联剂分子膜。硅烷偶联剂分为水溶性和溶剂性两种,它们是一氨丙基三乙氧基硅烷,一一氨一一乙基氨丙基三乙氧基硅烷等含有氨基的水溶性硅烷化合物和乙烯基三甲氧基硅烷,缩水甘油基三甲氧基硅烷等溶剂性硅烷化合物,最好采用水溶性硅烷偶联剂,其浓度约为一一一,。,,最佳为一溶剂性硅烷化合物的溶剂有甲醉乙醉异丙醇和丁醇等。硅烷偶联剂处理溶液中还含有表面活性剂,旨在降低处理溶液的表面张力,提高对基材的洗净性和浸透性。适宜的表面活性剂有阳离子,阴离子,非离子和两性表面活性剂,其浓度约为以下,它们包括聚氧乙烯十二烷基醚,壬基苯基聚氧乙烯醚,十二烷基
4、苯磺酸钠,异辛醇烷基硫酸醋钠,烷基三甲基抓化按,烷基苯基节基二甲基氛化按,二甲基烷基甜莱碱和二甲基烷基十二烷基甜莱碱等。。,硅烷偶联剂溶液处理方法一般采用浸渍法处理液温度约为一℃最好为。,。一℃处理时间约为一最好为一硅烷偶联剂处理过的基材采用强酸溶液浸渍处理,旨在促使硅烷偶联剂水解,提高硅烷偶联剂对基材的固着性,有助于提高以后工序中的阴离子表面活性剂。,,或金属对基材表面的附着性一般采用进行处理其浓度约为一最好为一或者采用进行处理,其浓度约为一,最好为一酸液处理温度约为一℃,最好为一℃,处理时间约为一,最好为一阴离子表面活性剂溶液处理阴离子表面活性
5、剂溶液处理旨在使硅烷偶联剂处理过的基材表面吸附阴离子表面活性剂。适宜的阴离子表面活性剂有磺酸型,磷酸醋型,烷基硫酸盐型,烷基醚硫酸盐型和磺基丁二酸型等,其浓度约为一,一一,一,最好为溶液温度约为℃最好为℃处理进间约为,。一最好为一盐溶液处理盐溶液中含有盐化合物和含化合物适宜的盐化、,,合物有和等其浓度约为一最好为。,,,一适宜的含化合物有硫脉硫代乙酞胺氨基硫脉二甲基硫脉和乙烯基硫脉等,其浓度约为一,最好为一。配制溶液时,首先把难溶于水的盐化合物溶解于酸液中,再加入含化合物,然后添加碱金属盐调节溶液值约为一,最好为一盐与含化合物生成阳离子性的络合物当
6、阴离子表面活性剂处理过的基材浸渍于盐处理溶液时,阳离子络合物强力地吸附到呈现阴离子性的绝缘基材上,且可以防止箔上置换出金属由此可以看出盐溶液中含有化合物是至关重要的,当盐溶液时,可以防止生成沉淀物盐处理液温度约为一℃,最好为一浸渍时间约为一,最好为一‘还原处理盐溶液处理过的基材浸于还原剂溶液中进行还原处理旨,‘,在使基材表面上吸附的还原成金属形成以后直接电镀用的基底导电层适宜的还原剂有,二甲胺硼烷,乙醛酸,,阱和经胺等,其浓一一度约为一,最好为一。还原剂处理液约为,最好为。,,,一一般采用和等碱金属盐调节溶液其浓度约,。,,一最好为一溶液温度约为一
7、℃最好为一℃浸渍处理时加’约为一,最好为一。电镀还原处理过的基材孔壁上形成了导电性金属层,便可进行直接电镀。镀液组成和条件如下一镀铜·‘一一‘,一一一一一光亮剂适量一一温度一一镀铜一一一一一一一光亮剂适量温度一一一,一镀前处理活性处理镀铜以前,最好进行活化处理,活化处理液组成和条件如下‘,一一温度一一时’一一弱蚀处理直接电镀前的任何工序之前,最好进行弱蚀处理,旨在除去箔表面上的异物,确保镀层与基材表面的附着性,弱蚀处理液组成和条件如下过硫酸盐型。一一或小,一一温度一一时间一一一一‘一型,一一,一一稳定剂适量温度一℃。一℃夜时间一一去树脂沽污处理当基
8、材为多层印制板时,在硅烷偶联剂处理之前最好进行去树脂沽污处理,去除钻孔时由于高速钻削所产生的热变质树脂沽污,确保内层铜箔与
