变换炉堆焊层裂纹原因分析和埋藏缺陷安全评定

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1、3埋藏缺陷安全评定一次薄膜应力是由内压引起的:P=PD/2B3.1缺陷的表征式中:P——一次薄膜应力,MPa;根据2012年的无损检测报告,在简体环焊缝P——设计压力,MPa;处发现一埋藏裂纹,裂纹长15mm,深13mm,高D——壳体内径,mm;度未知。参照检验结果和GB/T19624-2004《在——评定壳体的计算厚度,mm。用含缺陷压力容器安全评定》的规定,该裂纹可一次弯曲应力P。忽略不计,即:=0MPa;二简化为椭圆形型埋藏裂纹(见图4)。次应力主要考虑焊接残余应力,当BI>25InlTl;Q6=Rin=81

2、MPaQ=0MPa式中:Q——二次弯曲应力,MPa;Q——二次薄膜应力,MPa;盯——焊接残余应力在截面上的最大值,MPa。考虑到失效后果的严重性,各类应力均乘以图4裂纹规则化示意分安全系数,一次应力的分安全系数为1.5,二次Fig.4Diagrammaticsketchofcrackafterregularization应力的分安全系数为1.0,得到评定计算的应力。注:为评定壳体的计算厚度,mm;pl和P2为埋藏缺陷距离壳评定应力见表3。体两表面的距离,mm;n为平面缺陷规则化后的表征裂纹尺表3评定应力寸,此处为

3、椭圆化后短轴长度的一半,mm;c为表征椭圆埋藏Table3Evaluatestress裂纹长轴半长,mm。计算应力/MPa评定应力/MPa裂纹高度2a=10mm,已知埋藏裂纹深度P一次薄膜一次弯曲一次薄膜一次弯曲二次薄膜二次弯曲=13mm,壳体厚度B为88mm,则P:65mm。99.660.00119.590.000.0081.00对于失效后果严重的情况,缺陷尺寸取1.1的分3.3安全评定安全系数,因此,Ct=5.5mm,c=8.25mm。根据缺陷的尺寸和评定应力,按GB/T19624-3.2应力确定在缺陷安全评定

4、中的应力都是指缺陷部位假2004(在用含缺陷压力容器安全评定》计算得到一次应力引起的强度因子(),二次应力引起的强设缺陷不存在时的原场应力,而不是应力强度,平面缺陷评定时所需的应力是壳体截面(缺陷平度因子(霹),载荷比(L)和断裂比(Kr),见表4。面)上的法向应力,应按弹性材料行为假设求得。材料延性断裂韧度由文献[9]方法得到。表4安全评定参数计算结果Table4Calculateresultsofsafetyevaluateparameters平面缺陷的常规评定采用通用失效评定由图5可以看出,在设计载荷下,缺陷

5、的评定点位图的方法进行。失效评定曲线(FAC)的方在评定曲线的安全区内,在缺陷没有扩展的情况程为:下,变换炉是安全的。Kr=(1一0.14L)(0.3十0.7e-0.65L6)考虑裂纹扩展,经计算,当裂纹深度达到。为将计算得到的载荷比和断裂比所构成的评定10mm,长度2c为400mm时,,为1.008,K为点绘制在常规评定通用失效评定图中,见图5。0.271,评定结果仍然安全;57是安全的;蒋(4)考虑埋藏缺陷扩展,当裂纹高度达到a为10mm,长度2c为400miD_时,评定结果仍然安全;当深度a为17ITlm,长

6、度2c为440mlTl时,达到临界裂纹尺寸。参考文献载荷比L李琼玖,叶传湘.CO变换炉设备结构设计的发展[J].化工设备设计,1996,33(6):23-25.图5评定点在失效评定图中位置曹昭军.低温变换炉裂纹产生原因及处理[J].化工设备与Fig.5PositionofevaluatepointinFAD防腐蚀,2002,5(6):439440.柳晓民,陈进,孙晓明.加氢反应器堆焊层裂纹的成因与当深度a为17min,长度2c为440mm时,,其对使用的影响[J].压力容器,2005,22(9):3942,26.为

7、1.141,K为0.363,达到临界裂纹尺寸。沈望.煤化工变换炉的风险识别与控制【j].石油化工设备,2010,39(5):73-75.4结论聂敏,李军,薛金宝,等.15CrMoR高压变换炉的焊接[J].1¨j1j焊接技术],2005,]3H4(S1])、:79-8O.对变换炉焊缝堆焊层裂纹进行了金相检验和腐刘风霞,罗兆生中温变换炉的制造[J].机电工程技术,蚀产物分析,并对埋藏缺陷进行了安全评定,结合变2003,32(4):72-73.换炉的结构、清洗工艺和检验历史,得到如下结论:王炳英,刘晓旭.15CrMoR+

8、0Crl8Ni9不锈钢复合钢板焊接(1)金相检验结果表明,焊缝堆焊层裂纹为工艺[J].石油化工设备,2005,34(5):4749.沿晶裂纹,裂纹成网状;刘双元.不锈钢设备的连多硫酸应力腐蚀开裂与预防[J].(2)裂纹由连多硫酸应力腐蚀产生;石油化工腐蚀与防护,2003,20(4):32-34,45.刘长军,李培宁,孙亮,等.管道评定用Akv估算JIC下限(

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