半导体工艺英语名词解释

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1、半导体工艺英语名词解释CMPCMP是哪三个英文单词的缩写？答：ChemicalMechanicalPolishing(化学机械研磨)CMP是哪家公司发明的？答：CMP是IBM在八十年代发明的。简述CMP的工作原理？答：化学机械研磨是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力，用化学研磨液(slurry)来研磨的。为什幺要实现芯片的平坦化？答：当今电子元器件的集成度越来越高，例如奔腾IV就集成了四千多万个晶体管，要使这些晶体管能够正常工作，就需要对每一个晶体管加一定的电压或电流，这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来，但是将这幺多的晶体管连接

2、起来，平面布线是不可能的，只能够立体布线或者多层布线。在制造这些连线的过程中，层与层之间会变得不平以至不能多层迭加。用CMP来实现平坦化，使多层布线成为了可能。CMP在什幺线宽下使用？答：CMP在0.25微米以下的制程要用到。什幺是研磨速率（removalrate）?答：研磨速率是指单位时间内研磨膜厚度的变化。研磨液(slurry)的组成是什幺？答：研磨液是由研磨颗粒(abrasiveparticles)，以及能对被研磨膜起化学反应的化学溶液组成。为什幺研磨垫(Pad)上有一些沟槽(groove)？答：研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达到均匀

3、分布，使得研磨后芯片上的膜厚达到均匀。为什幺要对研磨垫进行功能恢复(conditioning)?答：研磨垫在研磨一段时间后，就有一些研磨颗粒和研磨下来的膜的残留物留在研磨垫上和沟道内,这些都会影响研磨液在研磨垫的分布,从而影响研磨的均匀性。什幺是blanketwafer？什幺是patternwafer？答：blanketwafer是指无图形的芯片。patternwafer是指有图形的芯片。Blanketwafer与patternwafer的removalrate会一样吗？答：一般来说，blanketwafer与patternwafer的remova

4、lrate是不一样的。为什幺Blanketwafer与patternwafer的removalrate会不一样？答：Blanketwafer与patternwafer的removalrate不一样是由于patternwafer上有的地方高，有的地方低，高的地方压强(pressure)大，研磨速度大（回想Preston关系式）。而且，总的接触到研磨的面积要比Blanketwafer接触到研磨的面积要小，所以总的压强大，研磨速度大。在研磨后，为什幺要对芯片进行清洗？答：芯片在研磨后，会有大量的研磨颗粒和其它一些残留物留在芯片上，这些是对后面的工序有害，

5、必须要清洗掉。CMP(processtool)分为几类？答：对不同膜的研磨，CMP分为Oxide,W,Poly,CuCMP等。CMP常见的缺陷（defect）是什幺？答：CMP常见的缺陷有划伤(scratch),残留物(residue),腐蚀（corrosion）.WRemoveRate用什么用什么方法来？答：W是指Tungsten(钨),removerate是指化学机械研磨速率，即单位时间内厚度的变化。由于钨是不透光的物质，其厚度的测试需由测方块电阻(sheetresistanceorRs)的机台来测量。用来测定OxideThickness的方法

6、是什幺？答：由于二氧化硅(Oxide)是透明的，所以通常测量二氧化硅的厚度（Thickness）用椭偏光法。为什幺要测particle(尘粒)？答：外来的particle对半导体器件的良率有很大的影响，所以在半导体器件的制造过程中一定要对尘粒进行严格的控制。用光学显微镜检查芯片的重点是什幺？答：用光学显微镜（OpticalMicroscopeorOM）可以观察到大的缺陷如(1)划伤（scratch）,(2)残留物（residue）CMP区Dailymonitor日常测机主要做哪些项目？答：任何机台的特性（performance）会随时间的变化而变化

7、。日常测机是用来检测机台是否处于正常的工作状态。CMP的日常测机通常要测以下一些项目：(1)removalrate(2)particle(3)uniformityCMP区域哪些机台可以共享一种dummywafer,哪些不能？答：WDUMMY只能用于w机台，polydummy只能用于poly机台，OXIDEdummy可以共享。什幺是overpolish?答：化学机械研磨是去掉芯片上的膜的高低不平的部分，从而达到平坦化或所需要的图形。如果研磨掉膜的厚度比预定的厚度要大，就叫overpolish。Overpolish后的芯片是不可挽救的。什幺是under

8、polish?答：如果研磨掉膜的厚度比预定的厚度要小，就叫underpolish。Underpolish后的芯片可以通过重