半导体名词解释91574

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1、1.       何谓PIE?PIE的主要工作是什幺?       答：ProcessIntegrationEngineer(工艺整合工程师),主要工作是整合各部门的资源,对工艺持续进行改善,确保产品的良率（yield）稳定良好。2.       200mm，300mmWafer代表何意义?       答：8吋硅片(wafer)直径为200mm,直径为300mm硅片即12吋.3.       目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？       答：当前1~

2、3厂为200mm(8英寸)的wafer,工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。4.       我们为何需要300mm?       答：wafersize变大，单一wafer上的芯片数(chip)变多，单位成本降低   200→300面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍       5.       所谓的0.13um的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？       答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工

3、作速度也越快。6.       从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um的technology改变又代表的是什幺意义？       答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um代表着每一个阶段工艺能力的提升。7.       一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N,P-typewafer?       答：N-typewafer

4、是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive元素(3价电荷元素,例如：B、In)的硅片。8.       工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？       答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子        注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积)、CMP(化学机械研磨

5、)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。9.       一般硅片的制造常以几P几M及光罩层数(masklayer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(masklayer)代表什幺意义？       答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um的逻辑产品为1P6M(1层的Poly和6层的metal)。而光罩层数（masklayer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.10

6、.       Wafer下线的第一道步骤是形成startoxide和zerolayer?其中startoxide的目的是为何？       答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面。   ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。11.       为何需要zerolayer?       答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的,各层次之间以zerolayer当做对准的基准。12.       Lasermark是什幺用途?WaferID又代表什幺意义?       答：Lasermark是用来刻waferID,Wafer

7、ID就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。13.       一般硅片的制造(waferprocess)过程包含哪些主要部分？       答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）14.       前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份?       答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)②阱区离子注入（wellimplant）用以调整电性③栅极(polygate)的形成④源/漏极（source/drai

8、n）的形成⑤硅化物(salicide)的形成15.       STI是什幺的缩写?为何需要STI?       答：STI:ShallowTrenchIsolation(浅沟道隔离)，STI