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1、第一章(1)晶态:固体材料中的原子有规律的周期性排列,或称为长程有序。(2)非晶态:固体材料中的原子不是长程有序地排列,但在几个原子的范围内保持着有序性,或称为短程有序。(3)准晶态:介于晶态和非晶态之间的固体材料,其特点是原子有序排列,但不具有平移周期性。(4)单晶:原子呈周期性排列的晶体。(5)多晶:由许多取向不同的单晶体颗粒无规则堆积而成的固体材料。(6)原子价键:主要的原子价键有共价键、离子键、π键和金属键。(7)共价键与非极性共价键:共价键是相邻原子间通过共用自旋方向相反的电子对电子云重叠)与原子核间的静电作用形成的,成键的条件是成键原子得失电子的能力相或是差别较小,或
2、者是成键原子一方有孤对电子(配位体),另一方有空轨道(中心离如果相邻原子吸引电子的能力是一样的,则共用电子对不会发生偏移,这样的共价就是非极性共价键。共价键的数目遵从8-N原则(8)空穴:光激发或热激发等激发因素会使原子键断裂而释放出电子,在断键处少掉1个电子,等效于留下一个带(+q)电量的正电荷在键电子原来所在的位置,这就是空穴（9）半导体的载流子:有两种载流子,带负电的电子和带正电的空穴。（10)基态:在0K下,半导体中的电子空穴对产生之前的固体所处的状态。（11）激发态:电子空穴对产生之后的固体所处的状态（12）光激发:光照产生电子空穴对的过程。第二章(1)量子:热辐射的粒
3、子形态。(2)德布罗意波长:普朗克常量与粒子的动量p的比值。(3)海森伯堡测不准原理:对于同一粒子,不可能同时确定其坐标和动量。(4)量子化能级:束缚态粒子的分立的能级。(5)波粒二象性:微观粒子有时表现为波动形态,而电磁波有时表现为粒子形态。(6)光生载流子:光照产生的载流子。(7)热生载流子:热激发产生的载流子(8)半导体能带结构:分为E-k图和E-x图。(9)导带:价带上能量最低的允带(10)价带:价电子所在的允带。(11)禁带:导带底与价带顶之间的能量区域(12)禁带宽度:导带底与价带顶之间的能量差。(13)直接能隙:跃迁前后导带底对应的波数的位置与价带顶所对应波数相同的
4、能隙类型(14)直接能隙半导体:能隙为直接能隙的半导体(15)间接能隙:跃迁前后kv的位置与kc不同的能隙类型。(16)间接能隙半导体:能隙为间接能隙的半导体第三章(1)产生:电子被激发到导带或(和)空穴被激发到价带的过程,它们伴随着产生电子或空穴(2)复合:电子从导带回到价带的过程(3)本征半导体:无杂质无缺陷的纯净半导体(4)非本征半导体:掺有杂质的半导体(5)本征激发:电子从价带被激发到导带的过程,它们伴随着产生成对的电子和(6)施主与施主电离:将电子施予半导体导带的杂质、缺陷叫施主。施主能级上的电子被激发到半导体导带的过程称为施主电离(7)受主与受主电离:将空穴施予半导体
5、价带(或接受价带电子)的杂质、缺陷叫受主。受主能级上的空穴被激发到半导体价带的过程称为受主电离(8)杂质补偿:半导体中既掺有施主杂质又掺有受主杂质时,杂质之间会首先彼此抵消”,这称为杂质补偿。杂质补偿之后,剩余的杂质才贡献电子或空穴给半导体(9)杂质补偿半导体:同一半导体中既掺有施主杂质又掺有受主杂质的半导体(10)直接复合:导带电子直接回到价带与空穴复合的过程(11)间接复合:导带电子通过深能级间接回到价带与空穴复合的过程(12)陷阱:俘获一种载流子的深能级(13)激子复合:由激发态电子和价带空穴对应的电子空穴对的复合14)俄歇复合:是有三个电荷参与的三粒子过程,其中一对电子空
6、穴复合,同时将多余的能量传递给第三个电荷(电子或空穴)第四章(1)量子态密度:在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内的量子态d的数(2)分布函数:能量为E的允态能级被电子占据的概率(3)费米能级:表征电子填充能级的水平(4)质量作用定律:热平衡态下,半导体中的两种载流子浓度的乘积为本征载流子浓度的平方(5)非简并半导体:浅能级杂质的浓度不太高,其中的杂质能级为分立能级尔兹曼分布函数的非本征半导体。(6)简并半导体:浅能级杂质的浓度足够高,费米能级接近或进入允带,狄拉克分布函数的非本征半导体(7)过剩载流子:在非平衡态下产生的非平衡载流子。(8)小注入:如果△n=△p,且满足
7、过剩载流子浓度远小于平衡多子浓度的(9)准费米能级:非平衡态下电子系统或空穴系统的准费米能级。(10)复合率:电子空穴对复合的速率。(11)少子寿命:过剩载流子的平均生存时间。第五章(1)漂移运动:在电场作用下载流子的定向运动2)漂移电流:载流子的漂移运动形成的电流。(3)电离杂质散射:载流子与电离杂质之间的相互作用。(4)晶格振动散射:载流子与热振动的晶格之间的相互作用。(5)扩散运动:因存在浓度梯度而引起的载流子的定向运动。(6)扩散电流:载流子的扩散运动形成的电流。(7)迁
