2017上海中考物理二模专题汇编数据表格专题.docx

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1、2017宝山二模25．为了“探究凸透镜成实像的规律”，某小组同学利用焦距分别为（f1=8厘米、f2=10厘米、f3=15厘米）的三个凸透镜、同一发光体、光屏和光具座等先后进行了三组实验，实验步骤和操作均正确，并将每次实验测得的物距u、像距v、所成像与发光物大小比较的结果等分别记录在表一、二、三中。实验序号物距u(厘米)像距v(厘米)成像情况116.016.0等大224.012.0缩小330.011.0缩小460.09.2缩小表二（f1=10厘米）实验序号物距u(厘米)像距v(厘米)成像情况520.020.0等大630.015.

2、0缩小750.012.5缩小860.012.0缩小表一（f2=8厘米）实验序号物距u(厘米)像距v(厘米)成像情况930.030.0等大1045.022.5缩小1150.021.4缩小1260.020.0缩小表三（f3=15厘米）⑼⑽⑾⑿⑴分析比较实验序号（1与2与3与4）或（5与6与7与8）或（9与10与11与12）数据中物距u与像距v变化关系及相关条件，可得出的初步结论是：同一凸透镜成实像时，像距随物距的增大而_______。⑵分析比较实验序号_________________数据中物距u与像距v变化关系及相关条件，可得出

3、的初步结论是：不同的凸透镜成实像时，物距相同，像距随焦距增加而增大。⑶进一步分析比较各表中的数据，寻找物距、像距与成像大小的联系，归纳得出初步的结论。①分析比较实验序号2、3、4、6、7、8、10、11、12，可归纳得出初步的结论：物体在凸透镜中成缩小的实像时，______________________________________________。②分析比较实验序号1、5、9及相关条件，可归纳得出初步的结论：______________。答案：（9）减小；（10）（3、6、9）或（5、11）或（4、8、12）；（11）物

4、距大于像距；（12）物距等于像距。2017崇明二模26．【探究主题】探究电流与电压、电阻的关系。【提出问题】通过导体的电流与导体两端电压及导体电阻的大小有什么关系？【猜想】①导体的电阻一定时，通过导体的电流与其两端电压成正比。②导体的电阻一定时，通过导体的电流与其两端电压的平方成正比。③导体两端的电压一定时，通过导体的电流与导体的电阻成反比。9【实验器材】电源（电压恒为4.5V），电流表、电压表各一个，电键一个，三个定值电阻（5Ω、10Ω、15Ω），两个滑动变阻器（20Ω2A、50Ω1A），导线若干。【实验过程】把实验器材连接

5、如图17所示的电路。（1）小明按图17正确连接电路后，闭合电键，发现电流表有示数，电压表指针超过量程。小明操作中的错误是（13）。（2）小明改正错误后继续实验，通过改变定值电阻R两端的电压，测得电流、电压的值如表一。分析数据可得出猜想（14）是正确的。图17+-3A3V15AV表一表二电压U/V1.21.62.02.42.8电阻R/Ω51015电流I/A0.120.160.200.240.28电流I/A0.300.150.10（3）小红在探究猜想③时，先将5Ω的电阻连入电路中，闭合开关，移动滑片，使与电阻并联的电压表的示数为1

6、.5V，并记下电流值；再分别改接10Ω、15Ω的电阻，重复上述实验，得到了表二中的实验数据。分析数据得出，猜想③是正确的。实验中，小红多次移动变阻器滑片的目的是（15）。（4）小华在探究猜想③时，重新设计了电路，保持电压表的示数为3V，得到了与表二相同的数据，也完成了实验探究。小华与小红的实验相比不同之处是：（16）。（5）小明实验时选择的是（17）Ω定值电阻。（6）小红实验时选择的变阻器规格是（18）。答案（13）连接滑动变阻器下端左边的接线柱了；9（14）①；（15）保持电阻两端的电压一定；（16）用不同方法使电阻两端的电

7、压一定；（17）10（18）50 Ω1 A2017奉贤二模25．某同学做“测定小灯泡的电功率”实验，实验器材有电压为6伏电源、标有“20Ω2A”字样的滑动变阻器、电流表、电键、标有“0.3A”字样且额定电压可能为“2.5V”或“3.8V”的小灯以及导线若干。他连接电路后按正确的步骤操作，闭合电键时电流表示数如图14所示。接着移动滑动变阻器的滑片直至小灯正常发光，发现滑片P在滑动变阻器的中点附近。（1）该同学判断小灯正常发光的依据是电流表示数为__________安。（2）为了确定小灯的额定电压，他用10欧的电阻替换滑动变阻器，

8、并记录下电流表的示数。请将下表填写完整。2017奉贤二模26．为了研究浸没在液体中的柱体上下表面受到液体的压强大小与哪些因素有关，某小组同学把高为0.1米的金属柱体先后竖直浸没于甲、乙、丙三种液体中进行实验，如图15所示。实验中它们改变金属柱体在液体中的深度h，并用压强传感器