存储器在提高存储速度方面进行地改进.doc

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时间:2020-03-28

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1、存储器在提高存储速度方面进行的改进(1)采用高速器件sd闪存卡即SecureDigital,32×24×2.11存储的速度快,非常小巧,外观和MMC一样,市面上较多数数码相机使用这种格式的存储卡,市场占有率第一。(2)采用多体交叉存储器主存储器的并行读写技术:是指在主存储器的一个工作周期(或较长)可以读出多个主存字所采用的技术。多体交叉存储器:在存储系统中采用多个DRAM,并利用它们潜在的并行性,可以把存储芯片组织为多个体,并让他们并行工作。从而能一次读或写多个字,存储器内的各个体是按字交叉的。(3)采用双端口存储器读写控制:当

2、两个端口同时存取存储器同一存储单元时,便发生读写冲突。为解决此问题,特设置了BUSY标志。由片上的判断逻辑决定对哪个端口优先进行读写操作,而暂时关闭另一个被延迟的端口。总之,当两个端口均为开放状态(BUSY为高电平)且存取地址相同时,发生读写冲突.此时判断逻辑可以使地址匹配或片使能匹配下降至5ns,并决定对哪个端口进行存取(1)采用高速缓冲存储器Cache(2)采用相联存储器,加长存储器的字长关联存储器,是一种不根据地址而是根据存储内容来进行存取的存储器,可以实现快速地查找快表

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