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时间:2018-12-08
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1、新型存储器结合了SRAM的速度和Flash的优势,看看未来有哪些存储器兴起 随着许多新技术的涌现,下一代存储器市场正在升温,但将这些产品引入主流市场仍面临一些挑战。 多年来,该行业一直致力于各种存储技术的研究,包括碳纳米管RAM、FRAM、MRAM、相变存储器和ReRAM。有些已推出,有些仍在研发中。这些不同类型的存储器都对应特定的应用领域,但都势必将在存储器家族中取代一个或者多个传统型存储。 在这个层次结构的第一层中,SRAM集成到处理器中以支持快速数据访问。层次结构中的下一层DRAM用于主存储器。
2、磁盘驱动器和基于NAND的固态硬盘(SSD)则用于信息存储。(如下图) 图1:存储器层次结构-dram/SRAM和Flash具有相反的特性,这些特性令存储类存储器能填补空白 当前的存储器能够正常运作,但是它们正在努力跟上系统中数据和带宽需求的激增。例如,DRAM速度快但耗电量大,而NAND和硬盘驱动器既便宜但运行速度较慢。 这彰显了下一代存储器的用武之地。新型存储器结合了SRAM的速度和Flash的非易失性和良好的耐久性。这些技术拥有出色的规格,但它们要么迟迟未出现,要么效能不尽人意。 事实上,
3、将许多新型存储器投入大规模生产一直是一个难题。它们依赖新型材料和转换机制,也难以制造或者运行,同时价格也非常昂贵。 总而言之,新型存储器仍然是利基产品,但是有很明显的进展。例如,英特尔正在持续推进名为3DXPoint的下一代存储器。紧接着,GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联华电子(UMC)正在为嵌入式市场开发新的存储器类型。有分析认为,“真正重要的是,逻辑晶圆厂正在为嵌入式存储器开发MRAM和resistanceRAM。对于独立的存储器市场来说,成本很高。只有愿
4、意投入巨大成本的人才会考虑。” 因此,传统存储器仍然是市场上的主流产品,但新型存储器也为我们提供了一些选择。 3DXPoint的兴起 3DXPoint的兴起已经持续一段时间,下一代存储器还在升级。每一种新型存储器都会被宣称它们性能比传统存储器更优越。 不过,至少目前来说,新的存储器不可能取代DRAM、Flash和SRAM。 这一切都归结于性能、容量与成本。举个例子,指定存储器的单元格大小等于特特征尺寸(F)乘以4的平方。最小的单元格大小是4F2。最新的3DNAND包含每个单元储存4个数据(QLC)
5、,理论上可以转换为1F2的单元大小。 但是,“如果它想取代NAND,就必须比1F2更便宜。据我所知,我们在有生之年不会看到这种情况。”身为存储器专家的Nantero公司董事会成员EdDoller如是说道。 同理,若要取代DRAM,新的存储器类型必须更便宜,而且必须在它周围有一个完整的基础设施,比如DRAM兼容的接口和控制器。 那如果新的存储器类型不会取代传统的技术,那么它们适合应用在哪些地方?LamResearch高级技术总监AlexYoon曾在一篇博客中写道,“云计算和最新的移动产品等应用正在推动对
6、新型存储器的需求,这些新型存储器将DRAM的速度与NAND更高的比特密度以及更低的成本结合起来。”为了达到这些标准,科研人员正在探索一些新技术。有些公司瞄准的是嵌入式应用,比如系统级芯片(system-on-chips,SoCs),而另一些公司则专注于存储类存储器空间。 目前,新型存储器已经开拓了现在的存储器无法满足的利基市场,甚至还从DRAM和Flash那里抢占了一些市场,但目前还不清楚这种新型存储器是否会成为主流技术。 目前为止,依然没有一种能够满足所有需求的新型存储技术。因此,随着时间的推移,客户
7、可能会使用一种或多种存储器技术。“它们是竞争关系,功能存在重叠,但是它们在市场上都有属于各自的一席之地。”ReRAM供应商Crossbar的营销和业务开发副总裁SylvainDubois表达了他的观点。 图片2:存储器层次结构 但值得一提的是,有一项技术正在进展中。市场的一个重大变化是3DXPoint的崛起,这是英特尔(Intel)和美光(Micron)开发的下一代技术。 当3DXPoint在2015年正式推出时,它被称为是一种介于DRAM和NAND之间的存储技术。它的速度和耐久性都是NAND的1
8、000倍。 然而,实际上3DXPoint的推出被延迟了,并且没有达到那些标准。不过,分析认为,“3DXPoint可能被过度炒作了。但3DXPoint仍然是相当惊人的,其盈利将超过所有其他非易失性存储器的总和。” 事实上,在几次延迟之后,英特尔正在升级基于3DXPoint的SSD和其他产品。最终,英特尔将把这项技术用于服务器里的DIMM。基于3DXPoint,英特尔将拥有速度最快、耐久性最高的SSD。 有数据
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