单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究.pdf

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1、第23卷第3期传感技术学报Vo1．23No．32010年3月CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORSMar．2010ResearchforInequip0tentialPotentialsCompensationoftheNc-Si／c-SiHeterojunctionMAGFETZHAOXiaofengWENDianzhong，KeyLaboratoryofElectronicsEngineering，CollageofHeilongjiangProvince，H

2、eilongjiangUniversity，Harbin150080，China＼M．jorLaboratoriesofIntegratedCircuits，HeilongfiangUniversity，Harbin150080，China／Abstract：Thenc—Si／c—SiheterojunctionMAGFETmanufacturedbyCMOSprocesshasitsownpropertyofinequipo—tentialpotentialsVu0，whichincrease

3、swithincreasingabsolutevalueofsupplyvoltageVDs．ThroughaddingbiasedvoltageVGstogateoftheBe-Si／c-SiheterojunctionMAGFET，theinequipotentialpotentialsarecompensatedbyad—justingequivalentresistancevaluesofconductingchannels．Theexperimentresultshows，whenex

4、tramagneticfieldB=0，andsupplyvoltageVDsisconstant，inequipotentialpotentialsooftheBe—Si／c-SiheterojunctionMAGFETareclosetozerooutputwithincreasingabsolutevalueofthegatebiasedvoltageVGs．Adoptinggatebiasedvoltagetocompensateinequipotentialpotentials，com

5、paredwithextracompensationresistancemethod，couldimprovemagneticsensorsensitivity，whensupplyvoltageVDsis一1．0V，magneticsensitivitycanbeimprovedby18％．Keywords：nc—Si／c—SiheterojunctionMAGFET；Magneticsensor；Inequipotentialpotentials；MagneticsensitivityEEA

6、CC：2560：3120纳米硅／单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究米赵晓锋，温殿忠，黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室，哈尔滨150080；＼＼黑龙江大学集成电路重点实验室，哈尔滨150080／摘要：采用CMOS工艺制作的纳米硅／单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势。，不等位电势随工作电压。绝对值增加而增大。通过在纳米硅／单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压，调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明，当外加磁场B=0时，工作电压。恒定时，随栅极偏置电

7、压绝对值增加，纳米硅／单晶硅异质结MAGFET不等位电势。逐渐接近零位输出；采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高，在工作电压为一1．0v时磁灵敏度约提高l8％。关键词：纳米硅／单晶硅异质结MAGFET；磁传感器；不等位电势；磁灵敏度中图分类号：TN386．1文献标识码：A文章编号：1004—1699(2010)03—0363—041966年，R．C．Gallagher提出MOS霍尔器件概异质结MAGFET不等位电势进行研究，通过外加栅念⋯，利用MOSF

8、ET沟道作为霍尔器件的敏感区，因极偏置电压V对纳米硅／单晶硅异质结MAGFET进沟道非常薄，可以提高MOS霍尔器件磁灵敏度。行不等位电势补偿，并与外加补偿电阻的纳米硅／单因MOS霍尔器件霍尔输出电极的几何位置不对称、晶硅异质结MAGFET磁特性进行比较，为提高纳米电极欧姆接触不良、沟道电阻率不均匀、沟道厚度不硅／单晶硅异质结MAGFET磁特性奠定基础。均匀和温度不均匀等因素，使MOS霍尔器件在外加1纳米硅／单晶硅异质结MAGFET磁场B=0时存在不等位电势，影响其特性。目前主要采用外加补偿电阻、