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时间:2020-03-25
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1、SVF8N60T/F说明书8A、600VN沟道增强型场效应管描述2SVF8N60T/FN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采TM用士兰微电子F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的1工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。3该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换1.栅极2.漏极3.源极器,高压H桥PWM马达驱动。特点1122∗8A,600V,RDS(on)(典型值)=1.0Ω@VGS=10V33∗低栅极电荷量TO-220F-3LTO-220-3L∗低反向传输电容∗开关速度快∗提升了dv/dt能力命名规则产品规格分类
2、产品名称封装形式打印名称材料包装形式SVF8N60TTO-220-3LSVF8N60T无铅料管SVF8N60FTO-220F-3LSVF8N60F无铅料管版本号:1.12011.08.30共8页第1页SVF8N60T/F说明书极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)参数范围参数符号单位SVF8N60TSVF8N60F漏源电压VDS600V栅源电压VGS±30VTC=25°C8.0漏极电流IDATC=100°C5.0漏极脉冲电流IDM32.0A耗散功率(TC=25°C)14748WPD-大于25°C每摄氏度减少1.180.38W/°C单脉冲雪崩能量(注1)EAS450mJ工作结温范围TJ-55~
3、+150°C贮存温度范围Tstg-55~+150°C热阻特性参数范围参数符号单位SVF8N60TSVF8N60F芯片对管壳热阻RθJC0.852.6°C/W芯片对环境的热阻RθJA62.50120°C/W电性参数(除非特殊说明,TC=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250µA600----V漏源漏电流IDSSVDS=600V,VGS=0V----1.0µA栅源漏电流IGSSVGS=±30V,VDS=0V----±100nA栅极开启电压VGS(th)VGS=VDS,ID=250µA2.0--4.0V导通电阻RDS(on)VGS=10V,I
4、D=4.0A--1.01.2Ω输入电容Ciss--910--VDS=25V,VGS=0V,输出电容Coss--105--pFf=1.0MHz反向传输电容Crss--2.43--开启延迟时间td(on)--29.00--VDD=300V,RG=25Ω,开启上升时间tr--71.33--ID=8.0Ans关断延迟时间td(off)--34.93--(注2,3)关断下降时间tf--32.80--栅极电荷量QgVDS=480V,ID=8.0A,--14.83--栅极-源极电荷量QgsVGS=10V--5.90--nC栅极-漏极电荷量Qgd(注2,3)--4.00--版本号:1.12011.08.30共
5、8页第2页SVF8N60T/F说明书源-漏二极管特性参数参数符号测试条件最小值典型值最大值单位源极电流ISMOS管中源极、漏极构成的反----8.0A源极脉冲电流ISM偏P-N结----32.0源-漏二极管压降VSDIS=8.0A,VGS=0V----1.4V反向恢复时间TrrIS=8.0A,VGS=0V,,--365--ns反向恢复电荷QrrdIF/dt=100A/µs(注2)--3.4--µC注:1.L=30mH,IAS=5.0A,VDD=110V,RG=25Ω,开始温度TJ=25°C;2.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;3.基本上不受工作温度的影响。版本号:1.12011.
6、08.30共8页第3页SVF8N60T/F说明书典型特性曲线版本号:1.12011.08.30共8页第4页SVF8N60T/F说明书典型特性曲线(续)图7.击穿电压vs.温度特性图8.导通电阻vs.温度特性)1.2(Ω3.0(V)VDSSDS(ON)2.5BR1.12.01.01.51.00.9注:注:0.51.VGS=0V1.VGS=10V漏源击穿电压(标准化)–2.ID=250µA漏源导通电阻(标准化)–2.ID=4.0A0.80.0-100-50050100150200-100-50050100150200结温–TJ(°C)结温–TJ(°C)图9.最大安全工作区域(SVF8N60T)图9
7、.最大安全工作区域(SVF8N60F)102210此区域工作受限于RDS(ON)此区域工作受限于RDS(ON)1100µs1100µs10101ms1ms(A)10ms(A)DD-IDC-I10ms100010DC漏极电流漏极电流10-1注:-1注:101.TC=25°C1.TC=25°C2.Tj=150°C2.Tj=150°C3.单个脉冲3.单个脉冲10-2-210100101102103100
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