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时间:2020-04-01
《嵌入式硬件设计基础学习教学教案第二讲(新修订).ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、嵌入式硬件基础第二讲模拟电子技术主要内容2.1半导体器件2.2三极管放大电路2.3场效应管放大器2.4多级放大电路2.1半导体二极管2.1.1PN结的形成与特性1.PN结的形成在半导体材料(硅、锗)中掺入不同杂质可以分别形成N型和P型两种半导体。N型半导体主要靠自由电子导电,称自由电子为多数载流子,而空穴(带正电荷的载流子)数量远少于电子数量,称空穴为少数载流子。P型半导体主要靠空穴导电,称空穴为多数载流子,而自由电子远少于空穴的数量,称自由电子为少数载流子。注意:不论N型半导体还是P型半导体都是电中性,对外不显电性。当P型半导体和N型半导体接触以后,由于交界两侧半导体类型不同
2、,存在电子和空穴的浓度差。这样,P区的空穴向N区扩散,N区的电子向P区扩散,如图1.1.1(a)所示。由于扩散运动,在P区和N区的接触面就产生正负离子层。N区失掉电子产生正离子,P区得到电子产生负离子。通常称这个正负离子层为PN结。如图1.1.1(b)所示。在PN结的P区一侧带负电,N区一侧带正电。PN结便产生了内电场,内电场的方向从N区指向P区。内电场对扩散运动起到阻碍作用,电子和空穴的扩散运动随着内电场的加强而逐步减弱,直至停止。在界面处形成稳定的空间电荷区,如图1.1.1(b)所示。2.PN结的特性1)PN结的正向导通特性给PN结加正向电压,即P区接正电源,N区接负电源,此
3、时称PN结为正向偏置,如图1.1.2(a)所示。这时PN结外加电场与内电场方向相反,当外电场大于内电场时,外加电场抵消内电场,使空间电荷区变窄,有利于多数载流子运动,形成正向电流。外加电场越强,正向电流越大,这意味着PN结的正向电阻变小。2)PN结的反向截止特性给PN结加反向电压,即电源正极接N区,负极接P区,称PN结反向偏置,如图1.1.2(b)所示。这时外加电场与内电场方向相同,使内电场的作用增强,PN结变厚,多数载流子运动难于进行,有助于少数载流子运动,形成电流IR,少数载流子很少,所以电流很小,接近于零,即PN结反向电阻很大。综上所述,PN结具有单向导电性,加正向电压时,PN
4、结电阻很小,电流IR较大,是多数载流子的扩散运动形成的;加反向电压时,PN结电阻很大,电流IR很小,是少数载流子运动形成的。将一个PN结加上相应的两根外引线,然后用塑料、玻璃或铁皮等材料做外壳封装就成为最简单的二极管。其中,正极从P区引出,为阳极;负极从N区引出,为阴极。根据所用材料不同,二极管可分为锗管和硅管。2.1.2二极管的结构及符号半导体二极管同PN结一样具有单向导电性。二极管按半导体材料的不同可以分为硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。可分为点接触型、面接触型和平面型二极管三类,如下图所示。不同结构的各类二极管下图所示为二极管的符号。由P端引出的电极是正极,由N端引出的电
5、极是负极,箭头的方向表示正向电流的方向,VD是二极管的文字符号。二极管的符号如何检测二极管的正负极一般来说,整流型二极管实物的负极(N极)有银环,如果二极管表面磨损,也可用数字万用表进行测量,测量方法如下::将万用表设置成200K或2M档,用红、黑表笔接二极管的两端测试,记录显示数值;再交换红、黑表笔接到二极管的两端测试,再次记录显示数值。比较两次数值的大小,显示数值小的那一次,红表笔接的是二极管的正极,黑表笔接的是二极管的负极。常见的二极管有金属、塑料和玻璃三种封装形式。按照应用的不同,二极管分为整流、检波、开关、稳压、发光、光电、快恢复和变容二极管等。根据使用的不同,二极管的外形各
6、异,下面所示为几种常见的二极管外形。1.二极管的伏安特性二极管两端的电压U及其流过二极管的电流I之间的关系曲线,称为二极管的伏安特性。2.1.3二极管的伏安特性及主要参数1)正向特性当二极管承受正向电压小于某一数值(称为死区电压)时,还不足以克服PN结内电场对多数载流子运动的阻挡作用,这一区段二极管正向电流IF很小,称为死区。死区电压的大小与二极管的材料有关,并受环境温度影响。通常,硅材料二极管的死区电压约为0.5V,锗材料二极管的死区电压约为0.1V。当正向电压超过死区电压值时,外电场抵消了内电场,正向电流随外加电压的增加而明显增大,二极管正向电阻变得很小。当二极管完全导通后,正
7、向压降基本维持不变,称为二极管正向导通压降UF。一般硅管的UF为0.7V,锗管的UF为0.3V。以上是二极管的正向特性。2)反向特性当二极管承受反向电压时,外电场与内电场方向一致,只有少数载流子的漂移运动,形成的漏电流IR极小,一般硅管的IR为几微安以下,锗管IR较大,为几十到几百微安。这时二极管反向截止。当反向电压增大到某一数值时,反向电流将随反向电压的增加而急剧增大,这种现象称二极管反向击穿。击穿时对应的电压称为反向击穿电压。普通二极
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