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时间:2020-03-22
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1、SDRAM内存模组的物理Bank与芯片位宽虽然有关内存结构与时序的基础概念,在本刊2001年第2期的专题中就已有阐述,但在这里为了保证专题的可读性,我们需要再次加强这方面的系统认识。正确并深刻理解内存的基础概念,是阅读本专题的第一条件。因为即使是RDRAM,在很多方面也是与SDRAM相似的,而至于DDR与DDR-Ⅱ、QBM等形式的内存更是与SDRAM有着紧密的联系。SDRAM内存模组与基本结构我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现,为什么要做成这种形式呢?这首先要接触到两个概念:物理Bank与芯片位宽。PC
2、133时代的168pinSDRAMDIMM1、 物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作,必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽,单位是bit(位)。当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽,而这个位宽就称之为物理Bank(PhysicalBank,下文简称P-Bank)的位宽。所以,那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上
3、市时,需要两条72pin的SIMM才能启动,因为一条72pin-SIMM只能提供32bit的位宽,不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。直到168pin-SDRAMDIMM上市后,才可以使用一条内存开机。下面将通过芯片位宽的讲述来进一步解释P-Bank的概念。不过要强调一点,P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念,在RDRAM中将以通道(Channel)取代,而对于像IntelE7500那样的并发式多通道DDR系统,传统的P-Bank概念也不适用。2、 芯片位宽上文已经讲到SDRAM内
4、存系统必须要组成一个P-Bank的位宽,才能使CPU正常工作,那么这个P-Bank位宽怎么得到呢?这就涉及到了内存芯片的结构。每个内存芯片也有自己的位宽,即每个传输周期能提供的数据量。理论上,完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Bank的需要,但这对技术的要求很高,在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit,常见的则是8bit。这样,为了组成P-Bank所需的位宽,就需要多颗芯片并联工作。对于16bit芯片,需要4颗(4×16bi
5、t=64bit)。对于8bit芯片,则就需要8颗了。以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。P-Bank其实就是一组内存芯片的集合,这个集合的容量不限,但这个集合的总位宽必须与CPU数据位宽相符。随着计算机应用的发展,一个系统只有一个P-Bank已经不能满足容量的需要。所以,芯片组开始可以支持多个P-Bank,一次选择一个P-Bank工作,这就有了芯片组支持多少(物理)Bank的说法。而在Intel的定义中,则称P-Bank为行(Row),比如845G芯片组支持4个行,也就是说它支持4个P-Bank。另
6、外,在一些文档中,也把P-Bank称为Rank(列)。回到开头的话题,DIMM是SDRAM集合形式的最终体现,每个DIMM至少包含一个P-Bank的芯片集合。在目前的DIMM标准中,每个模组最多可以包含两个P-Bank的内存芯片集合,虽然理论上完全可以在一个DIMM上支持多个P-Bank,比如SDRAMDIMM就有4个芯片选择信号(ChipSelect,简称片选或CS),理论上可以控制4个P-Bank的芯片集合。只是由于某种原因而没有这么去做。比如设计难度、制造成本、芯片组的配合等。至于DIMM的面数与P-Ba
7、nk数量的关系,在2001年2月的专题中已经明确了,面数≠P-Bank数,只有在知道芯片位宽的情况下,才能确定P-Bank的数量,大度256MB内存就是明显一例,而这种情况在Registered模组中非常普遍。有关内存模组的设计,将在后面的相关章节中继续探讨。SDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法1、逻辑Bank与芯片位宽讲完SDRAM的外在形式,就该深入了解SDRAM的内部结构了。这里主要的概念就是逻辑Bank。简单地说,SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储(就如排队买票),就很难做到随机
8、访问了。阵列就如同表格一样,将数据“填”进去,你可以把它想象成一张表格。和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)叫什么呢?它就是逻辑Bank(LogicalBank,下文简称L-Bank)。L-Bank存储阵列示意图由于技术、
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