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时间:2020-07-07
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1、.NORflash,NANDflash,SDRAM结构和容量分析1.NORflash结构和容量分析例如:HY29LV160。引脚分别如图:HY29LV160有20根地址线,16位的数据线。所以:容量=220(地址线)X16(数据位数)bit=1MX16bit=1MX2B=2MB2.SRAM简单介绍SRAM是英文StaticRAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的存,不需要刷新电路即能保存它部存储的数据。 SRAM不需要刷新电路即能保存它部存储的数据。而DRAM(DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时
2、间,要刷新充电一次,否则部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。SRAM一种是置于CPU与主存间的高速缓存,它有两种规格:一种是固定在主板上的高速缓存(CacheMemory);另一种是插在卡槽上的COAST(CacheOnAWord文档.Stick)扩充用的高速缓存,另外在CMOS芯片1468l8的电路里,它的部也有较小容量的128字节SRAM,
3、存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU部数据的传送,自80486CPU起,在CPU的部也设计有高速缓存,故在PentiumCPU就有所谓的L1Cache(一级高速缓存)和L2Cache(二级高速缓存)的名词,一般L1Cache是建在CPU的部,L2Cache是设计在CPU的外部,但是PentiumPro把L1和L2Cache同时设计在CPU的部,故PentiumPro的体积较大。最新的PentiumII又把L2Cache移至CPU核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快,不需要刷新的操作,但是也有另外的缺点,就是价格高,
4、体积大,所以在主板上还不能作为用量较大的主存。 现将它的特点归纳如下: ◎优点,速度快,不必配合存刷新电路,可提高整体的工作效率。 ◎缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。 ◎SRAM使用的系统: ○CPU与主存之间的高速缓存。 ○CPU部的L1/L2或外部的L2高速缓存。 ○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。 ○CMOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。主要用途:SRAM主要用于二级高速缓存(Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。
5、与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的存小。 Word文档.SRAMSRAM的速度快但昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存(cache).SRAM也有许多种,如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM,异步SRAM)、SyncSRAM(SynchronousSRAM,同步SRAM)、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM,流水式突发SRAM),还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。 基本的SRAM的架构如图1所示,SRA
6、M一般可分为五大部分:存储单元阵列(corecellsarray),行/列地址译码器(decode),灵敏放大器(SenseAmplifier),控制电路(controlcircuit),缓冲/驱动电路(FFIO)。SRAM是静态存储方式,以双稳态电路作为存储单元,SRAM不象DRAM一样需要不断刷新,而且工作速度较快,但由于存储单元器件较多,集成度不太高,功耗也较大。1.SDRAM结构和容量分析lSDRAM基础知识SDRAM:SynchronousDynamicRandomAccessMemory,同步动态随机存取存储器
7、。同步是指Memory工作需要步时钟,部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是:第一代SDRSDRAM,第二代DDRSDRAM,第三代DDR2SDRAM,第四代DDR3SDRAM.第一代与第二代SDRAM均采用单端(Single-Ended)时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。SDRSDRAM的时钟频率就是数据存储的频率,
8、第一代存用时钟频率命名,如pc100,pc133则表明时钟信号为100或133MHz,数据读写速率也为100或133MHz。之后的第二,三,四代DDR(DoubleDataWord文档.Rate)存则采用数据读写速率作为命名标准,并且在前面加上表示其DDR代数的符号,PC-即DDR,PC2=DDR2,P
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