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时间：2020-03-25
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1、工艺集成集成电路中的隔离MOS集成电路中的隔离增加场区二氧化硅的厚度（局部场氧化）侧墙掩膜隔离双极集成电路中的隔离结隔离MOS集成电路中的隔离MOSFET本身自隔离产生寄生场效应晶体管抑制方法——防止开启提高寄生场效应晶体管的阈值电压增加场区二氧化硅的厚度（局部场氧化）增大氧化层下沟道的掺杂浓度，即形成沟道阻挡层增加场区二氧化硅的厚度双极集成电路隔离主要介绍0.18µm的CMOS集成电路硅工艺的主要步骤。这有助于对半导体制造有一个更好的了解。CMOS制作步骤CMOS反相器由两个晶体管构成，一个nCMOS和一个pCMOS。1
2、.双阱工艺在硅衬底上形成的、掺杂类型与硅衬底相反的区域称阱（well）。阱通常是通过注入或扩散工艺形成，掺杂为n型称为n阱，掺杂为p型称为p阱,而在同一硅片上形成n阱和p阱的称为双阱（twin-well）。2.浅槽隔离工艺浅槽隔离STI是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。分为三步：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物平坦化3.多晶硅栅结构4.轻掺杂漏注入工艺源、漏注入工艺n+源/漏注入工艺P+源/漏注入工艺7.接触孔的形成8.局部互连工艺9.通孔1和钨塞1的形成10.第一层金属（金属1）互连的形成通孔2的形成钨塞2
3、的形成12.第二层金属互连的形成13.制作第三层金属直到制作压点和合金
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