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1、第38卷第1期微电子学Vol38,No.12008年2月MicroelectronicsFeb2008二十四所半导体工艺技术发展历程与展望1,221,2何开全,王志宽,钟怡(1.模拟集成电路国家级重点实验室;2.中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060)摘要:回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程。晶圆尺寸从1.5吋(40mm)到6吋(150mm),特征线宽从10m到0.5m,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5V到800V,包括射频和高压大功率的各种器件。从研制成功全
2、国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程。最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景。关键词:半导体工艺;双极;互补双极;CMOS;VDMOS;BiCMOS;SOI中图分类号:TN304.05文献标识码:A文章编号:10043365(2008)01001706DevelopmentandProspectofSISCsSemiconductorICTechnology1,221,2
3、HEKaiquan,WANGZhikuan,ZHONGYi(1.NationalLaboratoryofAnalogICs;2.SichuanInstituteofSolidStateCircuits,CETC,Chongqing400060,P.R.China)Abstract:DevelopmentcourseofSISCssemiconductorICtechnologysinceitsestablishmentin1968isreviewed.Thewafersizeevolvedfrom40mmto150mm,
4、andthecriticaldimensiondecreasedfrom10mto0.5m.ThedevicefrequencyhasincreasedfromkiloHertstoRF,andthesupplyvoltagehasgoneupfrom5Vtoover800V.SincethedevelopmentofChinasfirstlargescaleintegratedcircuit,SISC,whichistheonlyinstituteinChinaengagedinresearchanddevelopmentofa
5、nalogICs,hasmadeoutstandingachievementsinvariousfields.TheroadmapofSISCsanalogandASICtechnologyisalsopresented.Keywords:SemiconductorICtechnology;Bipolar;Complementarybipolar;CMOS;VDMOS;BiCMOS;SOIEEACC:2550迁后收缩深化技术方向,再到主攻模拟与专用集成1概述电路及规模化生产,反映了中国集成电路发展的艰难历程。中电科技集团
6、公司24所是以原机电部13所第一代工艺一代产品,高性能集成电路产品的迫五研究室为主体组建的。单片集成电路的发展历程切应用需求推动着半导体工艺技术的发展。40年经历了两个阶段:第一个阶段即建所后到1986年无来,24所的硅圆片尺寸从1968年的40mm发展到锡分迁前,在数字集成电路领域取得了重大研究成50mm、75mm、100mm,直到现在的150mm。光果;第二阶段是在无锡分迁之后,调整专业方向,在刻特征线宽从10m降到0.5m;晶体管的结深从模拟集成电路领域取得了突出的成就。3m降到0.2m;晶体管的特征频率从低频(MHz19
7、68年至2008年,24所发展的40年也是中国级)提高到射频(20GHz)。开发的工艺主要有:铝半导体集成电路发展的40年。40年来,24所创造栅MOS/CMOS工艺、硅栅CMOS工艺、PN隔离标了多个第一:全国第一块集成电路,全国第一块大规准双极工艺、宽带低噪声放大器工艺、GaAs单片集模集成电路,全国第一块GaAs单片集成电路,全国成工艺、等平面互补双极工艺、多晶硅发射极工艺、第一个产品实用化的DAC等。从艰苦创业时期在PN对通隔离高压双极工艺、等平面LOCOS隔离半导体集成电路各个领域全面铺开研究,到无锡分CBiCMOS、SOI及
8、全介质隔离技术、VDMOS工艺、收稿日期:20071228;定稿日期:2008011318何开全等:二十四所半导体工艺技术发展历程与展望2008年2高压BiFET工艺、LCMOS工艺、高速高压
