基于HSCAE的电器外壳注射模优化设计.pdf

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1、模具工业2014年第40卷第8期基于HSCAE的电器外壳注射模优化设计袁飞(常州轻工职业技术学院,江苏常州213164)摘要:采用HSCAE软件对电器外壳的注射成型过程进行了模拟,分析了塑件翘曲变形的原因并提出了改进措施,对塑件成型工艺进行了优化,提高了塑件成型质量和生产效率,为类似塑件的注射模设计提供了理论依据。关键词:注射模;翘曲;模流分析;工艺参数;HSCAE中图分类号:TG241;TQ320.662文献标识码:B文章编号:1001—2168(2014)08—0046—04HSCAE—basedoptimizationdesignofinjectionmouldfor

2、electricalapparatusshellYUANFei(ChangzhouInstituteofLightIndustryTechnology,Changzhou,Jiangsu213164,China)Abstract:TheinjectionmouldingprocessforanelectricalapparatussheBwassimulatedbyusingtheHSCAEsoftware.ThecauseoftheshellwarpageWasanalyzedandtheimprove—mentmeasureswereproposed.Thenthemo

3、uldingprocessWasoptimized.Keywords:injectionmould;warpage;mouldflowanalysis;processparameters;HSCAE1引言设在塑件外表面。对塑件模型进行网格划分时,划当前,塑料制品品种繁多,结构也越来越精密分结果直接影响分析数据的准确性。由T自动生和复杂,但设计与制造周期越米越短,成本越米越成的网格存在很多问题,需要用网格具进行修低。传统的模具没计一般依靠经验设计模具,模具改,使网格匹配率在90%以上。装配完后要反复试模,修止成型艺参数,势必增加生产成本,延长塑件开发周期0I。在模具设计与制造

4、过中,已J’‘泛利川CAE软什对塑件整个注射成型过进行熔料充填、保压、冷却、翘曲以及收缩等模拟分析,找出可能出现的缺陷,提高试模成功率,降低生产成本,缩短设计周期I。现以电器外壳塑件为例,利J{jHSCAE软什对塑f,l:成型过程进行动态模拟分析,并对塑仆成型lr艺进行优化,给山最佳注射成犁I艺参数,为塑什的模具设计提供理论依据,从而提高塑件的成型质量。2塑件结构分析电器外壳结构如图l所示,外形尺寸为129.5mmx58.7mmxl3-3mm,材料为ABS,收缩率为0.5%,平均壁厚为1.5mln,最小肇厚为0.5mm。塑件表面图l电器外壳结构要求光沽、无{5l边I缩痕等缺

5、l5fj,同时浇口不允许3模具结构设计收稿日期:2014—05—13。3.1模具总体结构确定作者简介:袁飞(1980一),男(汉族),江苏张家港人,讲师,丰要经计算,塑件的体积为31.6enl,质为243.2研究力‘向:模只CAD/CAM。模具工业20l4年第40卷第8期47g。由于塑件K宽比较大,为提高生产效率,简化模具结构,降低模具生产成本,采J{jl模2腔成中心对称的排列方式。3.2浇注系统设计由塑件表面质量要求较高,且浇口不允许设在塑什外表面,模具浇注系统采}{_j单分型面潜伏式浇口形式。分面开设在塑什的最人轮廓处,分流道分别开设在主流道两侧,浇口剑主流道的距离相等

6、。相比U形和梯形截面,圆形截面的面积最小,可(a)方案1以减少熔体热草的损耗,冈此分流道截面采用圆形截面,分流道直径为4,6mm。浇注系统结构如2所示。0_魁一I..$“$H(h)方案2图3冷去IJ系统设计‘方案图2浇注系统结构3.3冷却系统设计考虑剑塑什的整体冷却效果以及缩短冷却时间,采Hj环形冷却方式,水路直径为郝mm。为冷却水路的设计制定了2种方案,方案l的冷却水路为4条水路,方案2的冷却水路为2条水路,如3所示。4注射成形工艺分析图4充填时『HJ4.1充填时间熔体充填时间如图4所示,充填时间为0.38s,熔体能充满型腔,充填时间短,效率高。4.2熔体温度熔体温度如图

7、5所示,熔体一直保持在较高的温度,成型塑什质量良好。4-3熔接痕图5熔体温度熔接痕分布如6所示,人部分熔接痕分布在塑什肇厚、镶什处。分面上,可以通过合模问隙将气体排出。4.4气穴4.5锁模力气穴分布如图7所示,人部分气穴分布在塑什锁模力曲线如图8所示,在注射过程中,如果锁模具工业2014年第40卷第8期图6熔接痕(a)方案1(b)方案2图7气穴图92种冷却水路CAE分析模力不足,当熔体充满整个型Jj卒时会使分型面胀开方案2的冷却时间利冷却介质温度分别如图导致塑f,l:产生边,冈此注塑机合模机构必须有足l0、图l1所

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