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时间:2020-03-23
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1、DSC在测聚合物薄膜Tg中的应用DifferentialAC-chipcalorimeter姓名:学院:专业:学号:DSCtn测聚合物薄膜Tg屮的应用DifferentialAC-chipcalorimeter玻璃化转变是非晶态高分了材料固有的性质,是高分了运动形式转变的宋观体现,它直接影响到材料的使用性能和工艺性能,因此长期以来它都是高分了物理研究的主要内容。近年来,高分了材料成为人们在航空航夭、工业、农业以及LI常生活屮使用的必需品。聚合物薄膜在纳米图案化、智能材料的制备、生化传感器等领域具有重要应用,因此它吸引了众多科
2、学家的研究兴趣。ChoongikKim等人研究发现Tg会影响聚合物薄膜的图案化。他们首先用一种纳米图案化模具.与聚合物薄膜的FS表面层接触;在T>Tg时,对薄膜施加压力使聚合物进入模具屮;在T3、chipcalorimeter诞生,其关键之处在于拥有独特的感应芯片(如下图)。图二、DifferentialAC-chipcalorimeter仪器示意图左图是一个热传导真空计,屮图是一个含有薄膜加热器的放大屮心,右图则直观的展示了芯片传感器安装在低温恒温器屮的状态。通过此装置,赋予了DifferentialAC-chipcalorimeter高灵敏度等优异特性,使其川途大大扩展,可以用来测最纳米薄膜的Tg、质量低于一纳克样品的热容,并且测试频率范围可达O.lHz-lkHzo所以,这种新型的DSCDifferentialA4、C-chipcalorimeter在聚合物溥膜Tg的测量屮广泛应用。起初,人们研究发现聚合物薄膜的Tg不随膜厚度的增加而发生任何改变。H.Huth,A.A.Minakov等人通过DifferentialAC-chipcalorimeter研究了PS与PMMA薄膜的Tg随膜厚变化的情况。0987••••1ooo①pru=dEe_eu6一spez二emiou160HzOHza—406080100120Tin°Ccorreaedphaseang_e5grd3210图三、160Hz和640Hz时的标准辐相信号(19nm的PMMA)作5、者首先通过同定PMMA的膜厚改变工作频率,来进行Tg的测量。从图中可以看出PMMA薄膜的Tg具有频率依赖性,随着频率的改变艮玻璃化转变温度也发生变化。当频率增大时,PMMA薄膜的Tg也增加。T/°C-4-ogis)-3-2o43210(spa!、3)60-图四、PS和PMMA薄膜Tg随膜厚变化的曲线随后则进行固定工作频率改变薄膜厚度来进行Tg的测量。对于PS来说(黑色圆圈40nm,空心圆圈15nm,十字圆圈8nm),从图中可以看出,随着薄膜厚度的改变,其Tg并没有明显的变化,在误養允许范围Z内。同理,对于PMMA(黑色方形46、12nm,空心方形I9nm,I•字方形lOnm,黑色菱形为木体)也有相同的结论,Tg不随薄膜厚度的改变而变化。随JnDongshanZhou,GiXue等人在研究中也发现,聚合物薄膜的Tg不随薄膜厚度的改变而改变。他们在硅基底表面旋涂PPO薄膜,通过改变PPO溶液的浓度以获得不同谆度的薄膜。通itDifferentialAC-chipcalorimeter的测量发现如-卜•结果。8.88.6■.・・180200220240260TemperatureIn°C•・■42999.02801.92图五、不同电压的振幅曲线-1•1.7、942.001.961.981000K/TTinK520515510505500495••-•-210NH/」)60一210-12.02图六、不同厚度的PPO薄膜的Tg的频率依赖曲线从左图屮可以看出,当PPO薄腸的厚度为65nm时,由随肴玻璃化温度而改变的热容可以得出此时PPO薄膜的Tg为236.7°C。右图中,黑色曲线符合VFT(Vogel-Fulcher-Tcimmann)方程log/=〃+BTg-To图屮当频率相同薄膜厚度不同时,得到了Tg只有±3K的误羌,对于所有薄膜在有效的频率范围内测得的Tg都符合使用同一参数的V8、FT函数。即聚合物薄膜的Tg不随其膜厚的变化而改变。但是随着对聚合物薄膜Tg的迸一步研究,人们发现聚合薄膜的Tg随肴其厚度的变化发生了改变。SiyangGao,YungP.Koh等人以重油、汕脂等为基底,在上面制得PS超薄膜,利用DifferentialAC-chipcalorimeter
3、chipcalorimeter诞生,其关键之处在于拥有独特的感应芯片(如下图)。图二、DifferentialAC-chipcalorimeter仪器示意图左图是一个热传导真空计,屮图是一个含有薄膜加热器的放大屮心,右图则直观的展示了芯片传感器安装在低温恒温器屮的状态。通过此装置,赋予了DifferentialAC-chipcalorimeter高灵敏度等优异特性,使其川途大大扩展,可以用来测最纳米薄膜的Tg、质量低于一纳克样品的热容,并且测试频率范围可达O.lHz-lkHzo所以,这种新型的DSCDifferentialA
4、C-chipcalorimeter在聚合物溥膜Tg的测量屮广泛应用。起初,人们研究发现聚合物薄膜的Tg不随膜厚度的增加而发生任何改变。H.Huth,A.A.Minakov等人通过DifferentialAC-chipcalorimeter研究了PS与PMMA薄膜的Tg随膜厚变化的情况。0987••••1ooo①pru=dEe_eu6一spez二emiou160HzOHza—406080100120Tin°Ccorreaedphaseang_e5grd3210图三、160Hz和640Hz时的标准辐相信号(19nm的PMMA)作
5、者首先通过同定PMMA的膜厚改变工作频率,来进行Tg的测量。从图中可以看出PMMA薄膜的Tg具有频率依赖性,随着频率的改变艮玻璃化转变温度也发生变化。当频率增大时,PMMA薄膜的Tg也增加。T/°C-4-ogis)-3-2o43210(spa!、3)60-图四、PS和PMMA薄膜Tg随膜厚变化的曲线随后则进行固定工作频率改变薄膜厚度来进行Tg的测量。对于PS来说(黑色圆圈40nm,空心圆圈15nm,十字圆圈8nm),从图中可以看出,随着薄膜厚度的改变,其Tg并没有明显的变化,在误養允许范围Z内。同理,对于PMMA(黑色方形4
6、12nm,空心方形I9nm,I•字方形lOnm,黑色菱形为木体)也有相同的结论,Tg不随薄膜厚度的改变而变化。随JnDongshanZhou,GiXue等人在研究中也发现,聚合物薄膜的Tg不随薄膜厚度的改变而改变。他们在硅基底表面旋涂PPO薄膜,通过改变PPO溶液的浓度以获得不同谆度的薄膜。通itDifferentialAC-chipcalorimeter的测量发现如-卜•结果。8.88.6■.・・180200220240260TemperatureIn°C•・■42999.02801.92图五、不同电压的振幅曲线-1•1.
7、942.001.961.981000K/TTinK520515510505500495••-•-210NH/」)60一210-12.02图六、不同厚度的PPO薄膜的Tg的频率依赖曲线从左图屮可以看出,当PPO薄腸的厚度为65nm时,由随肴玻璃化温度而改变的热容可以得出此时PPO薄膜的Tg为236.7°C。右图中,黑色曲线符合VFT(Vogel-Fulcher-Tcimmann)方程log/=〃+BTg-To图屮当频率相同薄膜厚度不同时,得到了Tg只有±3K的误羌,对于所有薄膜在有效的频率范围内测得的Tg都符合使用同一参数的V
8、FT函数。即聚合物薄膜的Tg不随其膜厚的变化而改变。但是随着对聚合物薄膜Tg的迸一步研究,人们发现聚合薄膜的Tg随肴其厚度的变化发生了改变。SiyangGao,YungP.Koh等人以重油、汕脂等为基底,在上面制得PS超薄膜,利用DifferentialAC-chipcalorimeter
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