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时间:2020-03-21
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1、透射电子显微镜电子束与物质的相互作用阴极发光轫致辐射X射线透射电子俄歇电子衍射电子二次电子反射电子吸收电子电子探针扫描电镜透射电镜俄歇电子谱仪入射电子束样品透射电子显微镜的主要功能成像:明场像,暗场像格子像,原子像衍射电子衍射X射线衍射多晶电子衍射单晶电子衍射电子衍射花样的分析包括两个方面:1)衍射几何:电子束经晶体散射后所产生的干涉线或斑点的位置;2)衍射强度:即电子束经晶体散射后所产生的干涉线或斑点的强度。从衍射几何方面的分析可获得大量的晶体学信息,本部分重点讨论衍射斑点的形成原理与其物理意义。电子衍射与电子衍射
2、仪★薄晶体的电子衍射特征:⑴厄瓦尔球半径比倒易矢量大几十倍⑵衍射角很小,衍射线集中在前方⑶倒易点被拉长为倒易杆,倒易杆方向垂直于薄膜厚度★以上三个原因决定使得电子束相对晶体任何取向,在倒易原点附近都会有许多倒易杆与球面接触或交截,从而可以得到许多衍射线。衍射线的方向为连接球心和倒易杆与球的交点,如图所示相机长度(a)第一幅衍射花样的形成和选区电子衍射原理(b)三透镜衍射方式原理图(不考虑磁转角)电子显微镜中的电子衍射★有效相机常数电镜中的衍射花样是物镜后焦面的衍射斑点经过几级透镜放大后在底片上成的像,则相机长度L不能
3、象电子衍射仪那样简单的计算为试样至底片的距离,而应根据后焦面上衍射斑点被放大的倍数,折算成衍射仪相机长度,成为有效相机长度L′.电子显微镜中的电子衍射令图中O′P′距离为r,则再利用布拉格公式,得到电子显微镜中的电子衍射r经过中间镜和投影镜放大后在底片上的距离R为即其中,电子显微镜中的电子衍射所以其中即为电子显微镜的有效相机长度,称为电子显微镜的有效相机常数3.单晶体和多晶体电子衍射花样指数标定★单晶体衍射花样其特征是衍射斑点规则排列。在衍射斑点花样中最基本的是简单电子衍射花样—单晶带电子衍射花样,它是通过倒易点阵原
4、点的一个二维倒易面的放大像3.单晶体和多晶体电子衍射花样指数标定其中各衍射斑点对应的倒易点指数如下图单晶电子衍射花样的标定方法电子衍射花样的许多几何特征都可借助倒易点阵平面加以说明,利用其性质可使单晶花样分析工作大为简化。1.尝试-校核法单晶花样指数化方法由照片的负片描制的花样示意及其指数化(相机常数K=1.41mm•nm)单晶电子衍射花样的标定方法(1)选择靠近中心斑点而且不在一条直线上的几个斑点A、B、C、D。测量R值分别为RA=7.1mm,RB=10.0mmRC=12.3mm,RD=21.5mm;R矢量之间夹角
5、的测量值为:RA与RB约90º,RA与RC约55º,RA与RD约71º。单晶电子衍射花样的标定方法(2)求R2比值,找出最接近的整数比,由此确定各斑点所属的衍射晶面族。这是体心立方结构的N值。当然也可写成1:2:3:9作为简单立方结构的比值,这是在指数化过程中经常遇到的情况。(3)尝试斑点的指数,最短矢量的A斑点对应的晶面族{110}共有12个晶面(包括正反符号):(110),(101),(011),,,,,,,,,。可以任选一指数,这样就有12种选法。单晶电子衍射花样的标定方法(4)按矢量运算求出C和D的指数:RC
6、=RA+RB因为:hC=hA+hB,kC=kA+kB,lC=lA+lB所以可求得C和D。(5)对求出的指数继续用N和校核,与实际R2比值所得N值相比较;并对斑点指数化是否自洽进行检验。单晶电子衍射花样的标定方法(6)求晶带轴[uvw]。在电子衍射分析中,可用两个不共线的斑点(h1k1l1)和(h2k2l2)求出晶带轴方向。由晶带定律,用行列式表示:u:v:w=单晶电子衍射花样的标定方法2.标准花样对照法如果我们预先画出各种晶体点阵主要晶带的倒易平面,以此作为不同入射条件下的标准花样,则实际观察、记录的衍射花样可以直接
7、通过与标准花样对照,写出斑点指数和晶带轴方向。一般书中给出面心立方、体心立方和密排六方晶体的几个主要低指数的零层倒易平面,但在实际研究中常常出现其他晶带指数的衍射花样,这时掌握标准花样的作图方法就显得尤为重要。单晶电子衍射花样的标定方法[001][011][111][012]在标定衍射花样时,尝试-校核法具有普遍性,它不仅适用于立方晶系的晶体,而且适用于任何晶系的晶体,但是它的计算量大,比较繁琐,标准花样对照法就弥补了这一缺点。但是一般书中只给出少数几个结构类型的、有限的几个低指数晶带的标准花样,往往不能满足实际研究
8、的需要;而要作出不同结构类型的不同晶带的标准花样,就需要花费大量的时间。因此,对于这两种方法存在的问题,借助电子计算机是最好的解决方法。单晶电子衍射花样的标定方法七种晶系衍射斑点排布方式3.单晶体和多晶体电子衍射花样指数标定★简单电子衍射花样的指数标定1.立方系单晶体已知物质的衍射指数标定⑴指数直接标定法需要知道仪器常数和晶体的点阵常数。以衍射
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