电子线路分析与实践 教学课件 作者 张湘洁 等 任务2.ppt

电子线路分析与实践 教学课件 作者 张湘洁 等 任务2.ppt

ID:50497235

大小:1.50 MB

页数:51页

时间:2020-03-09

电子线路分析与实践 教学课件 作者 张湘洁 等 任务2.ppt_第1页
电子线路分析与实践 教学课件 作者 张湘洁 等 任务2.ppt_第2页
电子线路分析与实践 教学课件 作者 张湘洁 等 任务2.ppt_第3页
电子线路分析与实践 教学课件 作者 张湘洁 等 任务2.ppt_第4页
电子线路分析与实践 教学课件 作者 张湘洁 等 任务2.ppt_第5页
资源描述:

《电子线路分析与实践 教学课件 作者 张湘洁 等 任务2.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、电子线路分析与实践上篇模拟电路分析与实践教材目录任务1小夜灯的制作1任务2声控闪光电路的制作2任务3热释电人体红外传感器的制作3任务4电子助听器的制作4任务5语音提示和告警电路的制作5任务6接近开关的制作6任务7低压直流电源的制作7模拟电路分析与实践教学目的知识能力::熟悉晶体管放大、饱和、截止三种工作状态条件和工作在这三种状态特点,并能够用输出电压的大小来判断。熟悉晶体管的直接耦合形式。技能能力:熟悉发光二极管的应用,熟悉电容话筒的应用。学会放大器静态工作点的调试方法,分析静态工作点对放大器性能的影响。掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的

2、测试方法。社会能力:训练学生工程意识和良好的劳动纪律观念,自学能力。培养学生良好的语言表达能力和客观评价能力,劳动组织和团体协作能力以及自我学习和管理的素养。任务2声控闪光电路的制作模拟电路分析与实践目录2.1晶体管12.2场效应晶体管22.3放大电路的基本知识32.4基本共射放大电路42.5典型的静态工作点稳定电路52.6共集电极放大电路62.8多级放大电路82.7共基极放大电路72.9放大电路的频率响应9模拟电路分析与实践知识能力任务2声控闪光电路的制作2.1晶体管11.晶体管的结构、符号和分类(1)晶体管的结构和符号晶体管由形成两个PN结的三块杂质半导体组成,结

3、构和符号如图2-1所示。模拟电路分析与实践任务2声控闪光电路的制作(2)晶体管的分类晶体管根据基片的材料不同,分为锗管和硅管两大类,目前国内生产的硅管多为NPN型(3D系列),锗管多为PNP型(3A系列);根据频率特性,分为高频管和低频管;根据功率大小,分为大功率管、中功率管和小功率管等。实际应用中采用NPN型晶体管较多,所以下面以NPN型晶体管为例加以讨论,所得结论同样适用于PNP型晶体管。模拟电路分析与实践2.双极型三极管的电流放大作用晶体管芯结构剖面图e发射极集电区N基区P发射区Nb基极c集电极晶体管实现电流放大作用的内部结构条件(1)发射区掺杂浓度很高,以便有

4、足够的载流子供“发射”。(2)为减少载流子在基区的复合机会,基区做得很薄,一般为几个微米,且掺杂浓度较发射极低。(3)集电区体积较大,且为了顺利收集边缘载流子,掺杂浓度很低。可见,双极型三极管并非是两个PN结的简单组合,而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此,绝不能用两个二极管来代替,使用时也决不允许把发射极和集电极接反。任务2声控闪光电路的制作模拟电路分析与实践3.双极型三极管的特性曲线(1)输入特性曲线以常用的共射极放大电路为例说明UCE=0VUBE/VIB/A0UCE=0VUBBUCCRC++RB令UBB从0开始增加IBIE=IBUBE令UCC为0UCE=0时的

5、输入特性曲线UCE为0时任务2声控闪光电路的制作模拟电路分析与实践任务2声控闪光电路的制作a)输入特性曲线b)输出特性曲线图2-6晶体管的特性曲线模拟电路分析与实践任务2声控闪光电路的制作4.晶体管工作状态的判断方法1)根据发射结和集电结的偏置电压来判别。2)根据偏置电流IB、IC、ICS来判别。首先设晶体管临界饱和,计算IBS:再计算输入电流IB,若IB>IBS,则饱和;若IB

6、放大系数共射直流电流放大系数:共射交流电流放大系数:(2)反向饱和电流1)集电极-基极反向饱和电流ICBO:ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流,受温度的变化影响。2)集电极-发射极反向饱和电流ICEO(穿透电流):ICEO是指基极开路允许从集电极流向发射极的最大电流。两个反向饱和电流的关系为ICEO=(1+β)ICBO。模拟电路分析与实践任务2声控闪光电路的制作(3)极限参数1)最大集电极耗散功率PCM:即集电极最大允许耗散功率。PC≦PCM。2)最大集电极电流ICM:即集电极最大允许电流。β下降到正常β的2/3时所对应的ic值为ICM,当ic>ICM时,

7、长时间工作可导致晶体管损坏。3)反向击穿电压U(BR)CEO。当UCEO>U(BR)CEO时晶体管ic、iE剧增,使晶体管击穿损坏。为了可靠工作,使用中取Ucc<2/3U(BR)CEO。U(BR)EBO:集电极开路时,发射结的反向击穿电压。U(BR)CBO:发射极开路时,集电极和基极间的击穿电压。4)由PCM、ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。UCE/VIC/mA0IB=043211.52.3安全区晶体管上的功耗超过PCM,管子将损坏。模拟电路分析与实践任务2声控闪光电路的制作2.2场效应晶体管21.MOS管

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。